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基于功率MOSFET的磁流变阻尼器控制器的研究
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《半导体技术》2006年 第1期31卷 56-58页
作者:贺国权涪陵师范学院物理与电子信息工程系重庆408003 
根据磁流变阻尼器的阻尼力与控制电流之间的关,采用功率MOSFET和脉位调制器设计出磁流变阻尼器的电流控制器。实验测试表明,控制器电流可在0~2A范围连续可调,响应速度快,输出的电流精度高,线性度好,输出电流稳定,能够满足磁流变阻尼...
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基于Pspice的八阶巴特沃斯低通滤波器设计与优化
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《山西电子技术》2006年 第3期 61-63页
作者:叶榆 贺国权涪陵师范学院物理学及电子信息工程系重庆408003 
介绍了低通滤波器的原理,采用有源滤波器的快速实用设计方法设计了八阶巴特沃斯低通滤波器,并用Pspice进行了电路仿真分析和优化设计,仿真结果与实际测试基本吻合,对滤波器的设计具有实际指导意义。
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