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张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节: 收藏
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引用; 《深圳信息职业技术学院学报》2017年第3期15卷 59-63页; 作者：周志文郭海根李世国沈晓霞王颖深圳信息职业技术学院电子与通信学院广东深圳518172 深圳信息职业技术学院离退休工作委员会办公室广东深圳518172; 基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米能级偏移,从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时,锗变为准直接带隙,直接带隙为0.53 ...; 基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米能级偏移,从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时,锗变为准直接带隙,直接带隙为0.53 e V。当单独掺杂N型杂质9.5×1019cm-3时,锗的费米能级到达Γ带底。引入适量的张应变和N型掺杂浓度,既有利于锗能带结构的调节,又有利于材料的实际制备。研究结果为锗发光器件的设计和制作提供借鉴。; 来源：详细信息评论

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