摘要：探索了一种新的生物活性钙磷陶瓷制备工艺,即将导电基体置于钙磷溶液中,通过高频感应的方式加热钛合金基体,同时通过设计相应的装置使钛合金附近区域形成温度梯度。这一温度梯度由钛合金基体表面向外逐渐降低,使基体表面形成了有利于钙磷沉积的热力学条件,从而使钙磷生物陶瓷能够在基体表面生长并形成涂层。初步研究结果证实,该工艺可在钛合金上制备出生物活性五水磷酸八钙涂层。

摘要：近年来,二维过渡金属二硫化物(TMD)由于其良好的物理和化学性质而引起人们的关注。其中,石墨烯由于其高达200000 cm2·V-1·s-1高电子迁移率得到了深入研究。由于石墨烯没有带隙,因此基于石墨烯的器件难以实现高的电流开关比。对于二维过渡金属二硫化物例如MoS2、MoSe2、WSe2和WS2,这些材料可以根据层数来调节的带隙。其中,单层和多层MoS2薄膜已进行了广泛深入研究。已经有人实现具有优异电学性能的基于MoS2的场效应晶体管(FET)。与MoS2、MoSe2和MoTe2相比,WS2具有更低的面内电子质量,这表明基于WS2的FET具有更高的载流子迁移率或更高的输出电流。与MoS2相比,WS2缺乏系统的研究,需要更多的研究工作来进一步发掘基于WS2的场效应晶体管的潜能。因此,我们使用机械剥离法来制备WS2晶体单层(1L),少层(FL)和块状WS2薄膜。使用3M透明胶带转移WS2薄膜,并且使用514 nm激光器对1L、FL和块状WS2膜进行了变温的拉曼研究。随着膜厚度增加到块状,对于1L WS2,A1g(Γ)和E2g1(Γ)模式分别显示蓝移和红移。此外,当拉曼振动模式在E12g(Γ)和A1g(Γ)之间交换时,"交叉"温度被识别为1L、FL和块状WS2膜。与MoS2相比,随着膜厚度的变化,WS2在E2g1(Γ)和A1g(Γ)之间表现出较小的频率变化(Δ),并且从拉曼峰值位置随温度变化来看,WS2比MoS2少一个量级。这项工作为基于WS2的器件设计提供了物理指导。

摘要：简述了手机的快充模式与应用,综述引线框架的材料发展。对比了几种常见手机快充端子引线框架材料的力学性能和导电导热性能。介绍了Cu-Ni-Si合金的研究情况,结合主流手机充电端子的设计思路探讨可能发生的失效模式和产生原因,为提高手机Cu-Ni-Si引线框架的品质提出措施。

摘要：综述了聚合物基电子封装材料的基本性能要求并分析了其影响因素,阐述了聚合物基电子封装材料的复合原理和结构设计思想,展望了聚合物基电子封装材料的发展趋势。

摘要：合成了一种磺化基在侧链上的聚芳醚。由于特殊单体结构的设计,磺化反应仅发生在聚合物的侧链上。这些磺化聚很容易溶于常见的有机溶剂,能够用溶液浇膜法制备光滑,坚韧的膜。通过Fentons试剂和沸水测试表明,这种膜具有高的抗水解性和抗氧化性。

摘要：合成一种含三个苯环的新型磺化聚芳醚.采用特殊单体结构的设计,在聚合物主链上引入甲基取代基对主链进行保护.用氯磺酸直接磺化方法在聚芳醚高分子侧基上引入磺酸功能基,实现了聚合物磺化结构的可控定位合成,得到了磺酸基在侧链上的磺化聚芳醚.通过核磁共振(1H-NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)和元素分析(EA)等方法,对其结构进行表征.

摘要：合成了一种用于质子交换膜的新型磺化聚芳醚.由于特殊单体结构的设计,在聚合物主链上引入取代基对主链进行保护,用氯磺酸直接磺化方法在聚芳醚高分子侧基上引入磺酸功能基,实现了聚合物磺化结构的可控定位合成,得到了稳定性较好的磺化聚芳醚.用溶液浇膜法制备了质子交换膜,考察了质子交换膜的各种性能.结果表明,这种膜具有良好的成膜性,水解性稳定性和优异热稳定性能,5%的热失重温度为362.3℃.氧化稳定性在80℃的Fenton’s试剂(3%的过氧化氢和2mg/L的FeSO4)中进行,膜在69min时才开始变碎,表现出良好的氧化稳定性.

摘要：质子交换膜燃料电池是一种无污染的电池,双极板是其核心部件之一,对其成本和输出功率有显著影响。非晶碳膜金属双极板具有优异的综合性能,从基底的选择和过渡层设计及掺杂等方面对非晶碳膜金属双极板展开综述,指出了未来的发展方向。

摘要：根据蔗糖转化反应的特点,引入纳米电化学生物传感器测定蔗糖转化反应的速率常数,把旋光法测定蔗糖转化反应的速率常数这一经典动力学实验与当前的科研热点相结合,改造为一个综合性探索实验。

摘要：对电子氧化物制备实验课程的教学进行了探索、改革和实践。以传统《材料专业综合设计实验》教学模式和内容为基础,以培养学生前期文献调研与自行设计实验的积极性为前提,以结构简单的单晶外延薄膜为出发点,提供完善的制备-表征-性能测试的实验设备,使之更直观理解和掌握材料设计-结构-性能之间的关联,获得良好的教学效果。