摘要：由于图像隐写所引起的各种统计特征变化是不确定的,文中将Vague集相似度量引入隐写系统的安全性评价中.从图像的一阶统计特征和二阶统计特征两方面,定义了基于载体数据及载密数据相关Vague集相似度量的隐写系统一阶和二阶安全性测度,证明了该安全性测度的有界性,对称性和一致性.在假设图像满足独立同分布的条件下,证明了所提出的两种安全性测度是等价的.结果表明,所提出的二阶安全性比一阶安全性能更好地反映隐写引起的载体统计分布变化.与确定模式下的安全性测度相比,当嵌入率低于0.5比特/像素,新的测度可更好地度量隐写系统安全性,因此该测度对小容量的隐写及隐写分析算法设计具有更好的指导作用.

摘要：文章介绍了一种基于带隙基准电压(Band-gap Voltage)技术的高稳定度基准电路.通过使用温度补偿和负反馈运放网络技术,优化了电路结构,提高了基准电路的综合性能.实际测试结果表明,温度在28~120℃范围变化时,所设计带隙基准电路电压源的温度特性为±20 ppm/℃,电流源输出电流误差小于±1.8%.在0.18μm工艺下电路版图面积为180μm×200μm,1.8V工作电压时功耗仅为140μW.

摘要：寻找高活性、碱性稳定且具有极低过电位的非贵金属基析氧反应(OER)催化剂有巨大的价值,但由于OER缓慢的动力学,使其商业化面临相当大的挑战.本文中,我们通过一种自适应的表面重构方法设计了一种强耦合核壳纳米结构的预催化剂.该预催化剂由内部生长的Ni_(3)N/Ni异质结构核和超薄Ni_(3)N壳(Ni_(3)N/Ni@Ni_(3)N)组成,通过逐步的热氮化路径合成.Ni_(3)N/Ni@Ni_(3)N样品在电流密度10 mA·cm^(-2)下展现出超低的过电位(229 mV),其在过电位270 mV下,电流密度为单独的Ni_(3)N、Ni以及商业RuO_(2)催化剂的17,37和20倍,同时具有较低的塔菲尔斜率(55 mV·dec^(-1)).在OER过程中,Ni_(3)N/Ni@Ni_(3)N样品的表面发生了重构,生成了高活性的NiOOH.原位拉曼光谱和非原位电子显微镜的研究证实了这一点.密度泛函理论(DFT)计算结果表明,NiOOH到Ni_(3)N的界面电子转移产生了带正电的Ni阳离子,大大降低了OER中间产物吸附/脱附的能垒.