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基于增强型氮化镓器件的两级DC/DC变换器设计: 收藏
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引用; 《电力电子技术》2017年第9期51卷 12-15,19页; 作者：陈雷雨和军平俞作良王士民哈尔滨工业大学深圳研究生院广东深圳518055 深圳市雷能混合集成电路有限公司广东深圳518055; 设计了一台以增强型氮化镓(eGaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)为开关器件的450 W DC/DC模块电源。主功率电路采用同步整流Buck+软开关推挽的两级结构。针对eGaN HEMT应用中的驱动回路寄生电感的影响和驱动印制电路板(PCB)设计改善、开关管...; 设计了一台以增强型氮化镓(eGaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)为开关器件的450 W DC/DC模块电源。主功率电路采用同步整流Buck+软开关推挽的两级结构。针对eGaN HEMT应用中的驱动回路寄生电感的影响和驱动印制电路板(PCB)设计改善、开关管死区时间对软开关效果的影响和优化、eGaN HEMT主电路多层PCB布局等关键设计进行了介绍。最后,搭建八层板结构的样机,实测效率可达95%,证明了设计的合理性。; 来源：详细信息评论

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