摘要：介绍了用于节能灯照明电路的高耐压功率晶体管的反向击穿电压、饱和压降和开关时间等参数的设计要求。合理选用硅片单晶材料的电阻率 ,对器件工艺设计和制造起到了关键作用。

摘要：文章首先简要分析了LED驱动器的基本特性及其调光方式,并在此基础上对基于调光技术的LED驱动器设计进行论述。期望通过本文的研究能够对LED灯的光线调节及其在不同场合的应用有一定的促进作用。

摘要：通过优化设计和充分利用硅片面积 。

摘要：本文主要从IGBT器件开通时驱动工作过程和IGBT器件关断时驱动工作过程分析了IGBT器件门极控制机理,阐述了IGBT器件驱动数学模型,并针对IGBT器件驱动电路损耗进行分析和探讨。最后经过仿真和试验结果,为选择驱动电源设计或选型提供了依据。

摘要：采用硅栅结构的自对准离子注入工艺，研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ、输出功率５．１Ｗ、功率增益８ｄＢ、跨导６５０ｍＳ、截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参数和工艺参数的设计，给出了计算机数值分析结果。

摘要：为满足生产和科研的需要,达到以低成本加工出高精度产品的要求,我们在某些方面对LZM-6B型行星式单臂研磨抛光机进行了改造。结果表明,在各种研磨工艺参数相同时,对于工件加工表面的粗糙度,改造后的抛光机要优于改造前,但改造前后的去除率差别不大。

摘要：近些年随着光科技术整体水平的提高以及科学技术的发展,人们对于光刻机精细对针技术系统提出了更多更高的要求,文章就从这个背景出发,首先针对目前光刻机需要高精度的对准系统进行相应的分析和设计探讨,同时提出了一些相对实用的办法,最终要求的是能够满足高精度光刻机的需求,为此文章对光刻机精细对准进行了进一步的深入研究。