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检索条件"机构=清华大学 信息科学与技术国家实验室,北京100084"
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4×25 Gb/s电吸收调制器与DFB激光器集成光源阵列封装方案研究
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《半导体光电》2017年 第1期38卷 12-15页
作者:赵家美 孙长征 熊兵 王健 罗毅清华大学信息科学与技术国家实验室北京100084 
对应用于4×25Gb/s电吸收调制器与DFB激光器集成光源阵列的微波传输线进行了设计。通过有限元法仿真,确定其最优结构。经优化后,采用引脚封装的多路传输线在30GHz以内的传输损耗低于0.5dB,反射系数低于-13dB,并有效抑制了相邻信道...
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多任务环境中基于情感的拟人Agent面部运动的实现
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清华大学学报(自然科学版)》2009年 第8期49卷 1224-1228页
作者:杨斌 周芳芳 贾培发清华大学计算机科学与技术系智能技术与系统国家重点实验室清华信息科学与技术国家实验室北京100084 
为解决在多任务环境中,拟人Agent多种面部运动自主综合表达的问题,该文首先结合Sloman的分层体系架构和Damasio的机体标志思想,设计了一种支持多任务环境的拟人Agent面部运动的体系结构。接着分析了拟人Agent的面部运动种类及成因,定义...
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互联网假冒源地址攻击的分类
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清华大学学报(自然科学版)》2009年 第8期49卷 1237-1240页
作者:栗培国 毕军 姚广清华大学信息网络工程研究中心清华信息科学与技术国家实验室北京100084 
假冒源地址攻击具有容易实施、不易被追溯的特点,这种攻击行为在互联网上日益猖獗。该文总结了互联网假冒源地址问题、探索其攻击的各种形式、分析其带来的危害。将假冒源地址攻击用3个基本要素描述为:攻击者A,攻击目标V和被假冒主机H...
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基于信道质量信息的机会频谱接入策略
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清华大学学报(自然科学版)》2014年 第4期54卷 469-473,479页
作者:彭晓东 肖立民 钟晓峰 周世东清华大学电子工程系微波与数字通信技术国家重点实验室清华信息科学与技术国家实验室北京100084 
机会频谱接入被认为是一种实现异构无线网络间频谱资源共享的有效途径之一。之前的相关研究很少考虑信道质量信息对于机会频谱接入性能的影响。针对这一问题,该文综合考虑主用户信道占用信息和次用户的信道质量信息来设计机会频谱接入策...
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双向OFDM中继网络可达速率域
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清华大学学报(自然科学版)》2013年 第10期53卷 1503-1508页
作者:何飞 肖立民 陈翔 周世东清华大学电子工程系微波与数字通信技术国家重点实验室清华信息科学与技术国家实验室北京100084 
下一代移动通信系统对更高数据传输速率的需求异常迫切。针对双向正交频分复用(orthogonal frequency division multiplexing,OFDM)中继网络,由于现有的逐载波中继策略会遭受显著的速率损失,该文提出一种多载波译码转发中继策略来改善...
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基于高精度预对准的硅片传输控制系统
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《光电工程》2008年 第10期35卷 116-120页
作者:宋亦旭 杨泽红 李世昌 赵雁南清华大学计算机系智能技术与系统国家重点实验室信息科学与技术国家实验室北京100084 
高精度的预对准是设计现代光刻机硅片传输系统需要解决的核心问题之一。首先介绍了预对准单元的设计及实现:预对准机构包括旋转台、对心台和升降台,采用线阵CCD作为传感器进行硅片边缘检测,采用圆拟合方法进行硅片圆心和缺口的定位,对...
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发光量子阱对波长上转换红外探测器效率的影响
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《红外与毫米波学报》2016年 第3期35卷 281-286页
作者:康健彬 王磊 郝智彪 王超 谢莉莉 罗毅 汪莱 王健 熊兵 孙长征 韩彦军 李洪涛 王禄 王文新 陈弘清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室北京100084 中国科学院物理研究所北京100190 
波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因素.设计、制作了具有不同发光阱个数的波长上转换红外探测器件,结合器件的红外响应和仿真计算,分析了发...
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利用表面微结构提高波长上转换红外探测器效率
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《物理学报》2016年 第10期65卷 319-324页
作者:王超 郝智彪 王磊 康健彬 谢莉莉 罗毅 汪莱 王健 熊兵 孙长征 韩彦军 李洪涛 王禄 王文新 陈弘清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室北京100084 中国科学院物理研究所北京100190 
波长上转换红外探测器具有实现大面阵焦平面的优势,但光提取效率是制约器件整体效率的关键因素之一.本文主要研究利用表面微结构来提高波长上转换红外探测器的效率.首先通过仿真计算研究了表面微结构参数对光提取效率的影响,然后基于优...
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基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作
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《物理学报》2010年 第10期59卷 7239-7244页
作者:袁贺 孙长征 徐建明 武庆 熊兵 罗毅清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室集成光电子学国家重点实验室北京100084 
针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设...
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实系数二元二次方程组实根分类求解方法
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《计算机辅助设计与图形学学报》2014年 第5期26卷 725-730页
作者:万瑞杰 雍俊海 施侃乐清华大学软件学院北京100084 清华大学计算机科学与技术系北京100084 信息系统安全教育部重点实验室北京100084 清华信息科学与技术国家实验室北京100084 InriaVillers-lès-Nancyfrance54600 
为了提高平面二次曲线求交结果的精度和拓扑稳定性,提出一种基于二次曲线分类的二元二次方程组实根求解方法.首先将二元二次方程组的2个方程依照系数判断出其在x-y平面上的曲线类型,并根据不同的曲线类型分类情况,应用曲线的参数方程将...
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