摘要：针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和***器件完成工艺验证。

摘要：本发明提供了即使利用溅射法在多个连续基板上形成电解质膜也能使成膜速度和Sr／Ti组成比一定的技术。本发明的溅射装置在真空槽内底上设计有位于载置台周围的对置电极。在对置电极的表面上形成有多个孔，从而使表面积变大。并且，溅射的电解质材料附着在对置电极表面上，即使其表面上使电解质膜分布正电荷，对置电极表面上分布的电荷密度也比现有技术中的小，