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SiGe/Si异质结双极晶体管
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《半导体技术》1997年 第4期13卷 10-16页
作者:杨亚光电子工业部第四十七研究所 
介绍了SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)的特点、自对准HBT、非自对准HBT的结构以及通过低温热循环、SPOTEL、重硼掺杂等工艺使fT从20GHz增至110GHz的方法。
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EPROM系列电路测试程序设计
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《半导体技术》1996年 第6期12卷 54-57页
作者:栗学忠电子工业部第四十七研究所 
简要介绍了EPROM存储器的工作原理;着重介绍了用程序设计对EPROM电路功能的测试方法。
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低电压低功耗CMOS ASIC技术的进展
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《半导体技术》1997年 第3期13卷 16-19,32页
作者:方素娟 何玉表电子工业部第四十七研究所 
综述了低电压低功耗CMOSASIC技术,包括低压ASIC器件的主要类型及特点;先进的产品系列及其主要的工艺、性能参数与专用特性;芯片功耗的估算方法;高门密度ASIC芯片低电压低功耗自动化设计与测试技术;
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Si器件加工大束流离子注入的真空问题
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《真空》1998年 第4期35卷 38-41页
作者:陈林 刘晓芝电子工业部第四十八研究所 长沙大学 
本文从大束流离子注入的真空环境及对离子注入机性能影响的角度,讨论了大束流离子注入机真空系统的布置和设计。
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一种湿度开关电路的设计
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《仪表技术与传感器》1996年 第10期 32-34页
作者:李本会 崔瑛电子工业部第四十九研究所哈尔滨市150001 
对高分子湿敏电容元件进行了研究,设计了一种廉价湿度开关电路。它具有精度高、响应时间快、适用于各种仪器、仪表的控湿等特点。是一种性能价格比高、实用性强的控湿单元。
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JRC-490M型超小型密封直流电磁继电器的设计
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《机电元件》1998年 第2期18卷 14-24,28页
作者:邵健雄电子工业部第四十研究所 
文章在介绍JRC-490M型超小型密封在流电磁继电器设计过程的同时,针对提高继电器耐恶劣机械环境能力这一关键问题,重点从产品接触系统、电磁系统的理论计算入手,进行详细分析。
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微型连接器技术发展研究
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《中国电子元件》1997年 第2期 42-47页
作者:李华电子工业部第四十研究所 
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继电器激光封焊技术探究
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《机电元件》1994年 第4期14卷 38-43页
作者:朱昌应电子工业部第四十研究所 
论述了继电器激光封焊的原理及其优点、工艺规范要求,继电器罩壳材料及其结构设计形式,对继电器封焊过程中易出现的裂纹、泄漏问题进行了系统的分析,并阐述了防止裂纹、泄漏应采取的措施。
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超大功率直流固体继电器驱动分的研究
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《机电元件》1998年 第4期18卷 31-35页
作者:李云孝电子工业部第四十研究所 
驱动分设计的最优化,在固体继电器的设计中具有举足轻重的地位。文中分析了巨型晶体管和绝缘栅二又极晶体管的特性,介绍了它们应用于固体继电器中,驱动参数的计算和设计方法,以及驱动参数对固体继电器开关损耗、开关速度、可靠性...
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陶瓷管式滤波接触件衰减测量夹具的设计
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《机电元件》1998年 第4期18卷 49-53页
作者:傅周友电子工业部第四十研究所 
文章根据陶瓷管式滤波接触件的结构和电路特点,设计出符合GJB1308-91标准要求的衰减测量失具,可满足陶瓷管式滤波接触件衰减测量的需要。
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