摘要：从电路逻辑方式、功耗电流、制作工艺和单元电路结构几方面分析了专用集成电路的优化设计，并结合正交设计技术给出了最佳方案。针对专用电路常见的各种失效模式，提出了相应的改进措施。作为设计实例，采用正交设计技术对一种时序分配器进行优化和可靠性设计。

摘要：介绍了一种超高速低功耗分频器逻辑设计、电路设计、版图设计、工艺设计和工艺制作方法。采用３μｍ设计规则，用双埋层对通ｐｎ结隔离的ｎ层布线超高速ＥＣＬ工艺技术制造。最小发射极尺寸为３μｍ×１２μｍ，在－５５～１２５℃全温范围内，典型的功耗电流为２５ｍＡ，最高工作频率大于１５００ＭＨｚ，分频功能为÷２和÷１６。

摘要：介绍了一种模拟ＡＳＩＣ电路ＳＢ５０３双路移相脉冲驱动器的工作原理、线路设计、版图设计及研制结果。该电路内部设计有峰值比较器、锁存器、输入过频保护及电源低压保护电路、驱动级等功能单元。

摘要：介绍了一种ＥＣＬ超高速Ｄ触发器的电路设计、版图设计及工艺制作。研制中成功地解决了高速度与低功耗的矛盾。电路的工作频率典型值为８５０ＭＨｚ，最高可达９００ＭＨｚ以上，功耗电流典型值为３ｍＡ。

摘要：介绍了一种采用介质隔离互补双极工艺制造的单片高速宽带电压反馈型运算放大器。着重分析了电路的工作原理、设计特点和制造工艺。最后。

摘要：采用ＥＣＬ技术研制了一种二－五进制计数器ＳＥ１６７８。文章主要介绍了该器件的工作原理、版图和工艺设计及器件的性能分析等。最终产品典型工作频率可达５５０ＭＨｚ，最高电路翻转频率可达７５０ＭＨｚ。

摘要：质量流量计（ＭＦＣ）广泛用于微电子工艺气体的流量控制。硅片制造工艺水平通常取决于对工艺过程中气体流量的精确控制。目前在线使用的质量流量计对工艺过程有较大影响，包括质量流量计的设计缺陷和外围条件的影响。现代工艺水平对质量流量计提出了更高要求。根据质量流量计的设计机理和外围条件，分析了ＭＦＣ对相关气体工艺的影响。

摘要：研究了一种ＢｉＣＭＯＳ新技术，基区和发射区均通过发射极多晶注入，使形成的基区更浅、更窄；通过等平面氧化形成的鸟嘴，将版图设计为３．０μｍ的发射极条宽“挤”为２．０μｍ左右，提高了器件性能。在器件结构及工艺设计中，尽可能提高工艺的兼容性，简化工艺。该技术已应用于性能优良的双极、ＭＯＳ器件。

摘要：介绍了一种机内检测电路ＳＡ００６的设计及典型应用。该电路能检测两路电源电压欠压状态，电路内设有两路独立的峰值检波器。

摘要：采用ＫＯＨ：Ｈ２Ｏ的湿法化学腐蚀Ｓｉ｛１００｝晶片获得了球面轮廓曲线十分好的微透镜，透镜直径可从几个微米到几个毫米，焦距和孔径之比ｆ／Ｄ可以从２．５到１０以上。文章给出了微透镜及列阵的实验测试结果和若干显微照片，对其设计与制造建立了半经验理论模型。最后，对球面的形成原理及异常焦斑形状作了讨论。