文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

GaN HEMT器件结构的研究进展: 收藏
分享
引用; 《发光学报》2015年第10期36卷 1178-1187页; 作者：于宁王红航刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术实验室北京100124 电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室广东中山528402; Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶...; Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。; 来源：详细信息评论

限定检索结果