摘要：针对层压工艺下,埋入挠性光电基板的光纤,其应力、位移的变化,会影响光路的耦合效率,改变光纤有效折射率,导致传输性能发生变化的问题,采用有限元分析软件,对光纤埋入不同槽型的挠性光电基板进行了力学、传热和电磁场耦合分析.分析结果表明:光纤埋入梯形槽挠性基板的应力最大,达到68.336 7MPa.埋入梯形槽的光纤位移量最大,其值为1.430 4μm.随着槽宽增加,光纤最大等效应力从52.667MPa增加至71.907 MPa;随着槽间距增加,光纤最大应力从51.589 MPa增加至53.567MPa;随着槽深增加,光纤最大应力从52.667MPa减小至47.793 8 MPa,然后增加到67.349 6MPa.随着温度和压力的增加,单模光纤在X方向的有效折射率从1.446 249 977增加至1.446 259 084;Y方向的有效折射率从1.446 326 398增加至1.446 393 041.光纤有效折射率差会随着温度的增加而增大,随着压力的增加而减小.光纤有效折射率增加,限制光的能力增加,能够有效地减小光纤弯曲损耗.本文分析结果对挠性光电基板光纤埋入结构设计和层压工艺具有一定的参考价值和指导意义.

摘要：针对渐变微波吸收体因电尺寸大、结构复杂、锥齿间电磁耦合强而难于直接用数值方法直接计算其散射场的难题,提出用物理光学法和天线阵列相结合的技术计算其散射场。在入射波频率给定的条件下,给出涂覆有耗介质导体二面角和一维导体二面角阵列的雷达散射截面RCS(Radar Cross Section)随散射角变化计算例子,以及由涂覆有耗介质导体二面角阵组成的渐变微波吸收体的后向RCS随涂覆介质厚度变化的计算实例。表明本方法计算速度快,效率高,解决了渐变微波吸收体因电尺寸大而无法直接计算其散射场的难题,为电大尺寸渐变微波吸收体的设计提供了一种有效可行的计算方法。

摘要：生物体系作为一类特殊材料,其电学性质是研究仿生材料设计、电阻抗成像以及电磁场生物效应的发生与防护等问题的基础。目前已有较多复合材料模型被应用于生物体系介电性质问题的研究,但由于生物组织离体后的介电特性会发生较大变化,故已有经典复合材料介电特性模型用于阐释生物体系介电特性还存在一定局限性。从几类典型复合材料理论模型的适用性出发,介绍了生物体系介电特性理论研究进展,总结了理论研究结果与实验测量结果的差异性。分析了复合材料理论模型在生物体系介电性质理论研究中应用的不足并提出了改进的建议,对复合材料理论模型在生物体系电学特性问题研究领域的进一步发展与应用等问题提出了展望。

摘要：叙述了微波-水热法在制备电子陶瓷粉体中的应用，设计制造出基本满足使用要求的微波-水热反应釜，设计出微波-水热法制PZT压电陶瓷粉体的实验方案。制备了结晶完好、粒径分布均匀、平均粒径为2 ?m的PZT压电陶瓷粉体。

摘要：单轴应变Si材料电子电导有效质量是理解其电子迁移率增强的关键因素之一,对其深入研究具有重要的理论意义和实用价值.本文从Schrdinger方程出发,将应力场考虑进来,建立了单轴应变Si材料导带E-k解析模型.并在此基础上,最终建立了单轴应变Si(001)任意晶向电子电导率有效质量与应力强度和应力类型的关系模型.本文的研究结果表明:1)单轴应力致电子迁移率增强的应力类型应选择张应力.2)单轴张应力情况下,仅从电子电导有效质量角度考虑,[110]/(001)晶向与[100]/(001)晶向均可.但考虑到态密度有效质量的因素,应选择[110]/(001)晶向.3)沿(001)晶面上[110]晶向施加单轴张应力时,若想进一步提高电子迁移率,应选取[100]晶向为器件沟道方向.以上结论可为应变SinMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供重要理论依据.

摘要：提出了一种堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)新器件结构.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压的解析模型.该结构的应变硅沟道有两个掺杂区域,和常规双栅器件(均匀掺杂沟道)比较,沟道表面势呈阶梯电势分布,能进一步提高载流子迁移率;探讨了漏源电压对短沟道效应的影响;分析得到阈值电压随缓冲层Ge组分的提高而降低,随堆叠栅介质高k层介电常数的增大而增大,随源端应变硅沟道掺杂浓度的升高而增大,并解释了其物理机理.分析结果表明:该新结构器件能够更好地减小阈值电压漂移,抑制短沟道效应,为纳米领域MOSFET器件设计提供了指导.

摘要：金属锂负极因其超高的理论比容量和极低的氧化还原电势成为下一代可充电池的"圣杯"负极材料,高能量密度的锂金属电池有望成为后锂离子电池时代最具商业应用潜力的电化学储能系统.但是负极锂枝晶的生长带来了极大的安全隐患,"死锂"的积累和电解质的过度消耗造成了电池循环稳定性的下降,这些严重阻碍了锂金属电池的商业应用.近年来,国内外学者通过电极结构设计、固态电解质、隔膜修饰、保形包覆、添加剂等手段有效抑制了枝晶的生长.本文着重介绍了功能性添加剂和保形包覆两种策略的成功实例,通过在负极-电解质界面处注入富氟成分或引入亲锂性基团以均匀化锂离子流,从而实现稳定且无枝晶的负极循环,为锂金属电池的发展提供有益的见解.

摘要：具有较高磁导率和饱和磁化强度FeSiAl合金(FSA)粉末在微波吸收材料中占据重要地位,但较差的抗盐雾腐蚀性能限制其在极端环境(海洋和湿热等)中的进一步应用。为此,采用Stober工艺和催化化学气相沉积技术依次在FSA表面原位沉积SiO_(2)和碳层而获得了多壳层FSA@SiO_(2)@C复合结构,并研究其耐蚀电磁性能。结果表明,SiO_(2)层和碳层均匀地包覆于FSA表面,并与基体紧密结合,SiO_(2)层厚度约为100 nm,碳层厚度约为5 nm。SiO_(2)@C多壳层结构将FSA的腐蚀速率从2.66×10^(-12) m/s降低至1.52×10^(-12) m/s,显著提升了FSA的抗盐雾腐蚀性能。当匹配厚度为3 mm时,FSA@SiO_(2)@C复合结构的吸收性能相较于FSA明显提升,吸收带宽从4.2 GHz拓宽到5.84 GHz,RL_(min)为-21.65 dB(7.41 GHz),小于纯FSA的-19.03 dB(5.93 GHz)。多壳层复合结构可显著提升FSA的耐蚀和微波吸收性能,为抗腐蚀、高效吸波多功能磁性金属吸波材料提供了一条可行的设计思路。

摘要：本文设计了不同电场调节策略的Ga_(2)O_(3)SBD器件,通过研究器件结构、钝化层方案下器件电学特性,分析不同终端结构(场板结构FP、边缘终端结构ET、沟槽型Trench、高K钝化)下Ga_(2)O_(3)SBD的结构设计.此外本文结合理论分析和实验数据拟合,完善了Ga_(2)O_(3)材料和器件模型,通过对比实验数据验证了模型的正确性.研究发现:(1)高K钝化(κ>100)结合场板结构可有效舒缓表面电场并提升结终端效率,2μm Ga_(2)O_(3)SBD采用BaTiO_(3)钝化场板可实现终端效率91.4%,V_(br)=1.43 kV,巴利加优值BFOM=1.62 GW/cm^(2),七倍于Al2O_(3)FP SBD;(2)采用BaTiO_(3)钝化的FP&ET复合终端可实现终端效率93.6%,V_(br)=1.46 kV,BFOM=0.41 GW/cm^(2);(3)相较FP设计,SiO_(2),Al2O_(3),HfO_(2)钝化的FP&Trench SBD更适于改善SBD导通电阻Ron,sp,V_(br)及BFOMs.上述研究为优化Ga_(2)O_(3)功率器件性能提供了理论依据和参考.

摘要：根据我国最近制定的《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》规定的钛酸钡粉体材料预定用途和理化性能指标，评述了各类质量等级的钛酸钡粉体材料在ＰＴＣ陶瓷方面的应用范围，解释了某些理化性能指标在ＰＴＣ陶瓷配方设计和工艺中的实用意义。