摘要：在通常的 MOSFET基础上 ,根据电荷流动电容器原理 ,设计了一种新型的栅区开槽的电荷流动场效应管(CFT) ,并以一种新型有机半导体材料——三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物 (Pr[Pc(OC8H1 7) 8]2 为气敏材料 ,取代栅极中的间隙位置 .利用 L B超分子薄膜技术 ,将 Pr[Pc(OC8H1 7) 8]2 以 1∶ 3的配比与十八烷醇 (OA)混合的 L B多层膜 (Pr[Pc(OC8H1 7) 8]2 - OA)拉制在 CFT上 ,形成了一种新型的具有 CFT结构的 L B膜 NO2 气敏传感器 .当对该器件加一栅压 VGS时 (大于阈值电压 ) ,由于高阻敏感膜充电达 VGS需要一段时间 ,因而漏电流出现延迟现象 .这种弛豫与 NO2 气体浓度有关 ,室温下探测灵敏度可达 5 ppm

摘要：数字信号处理(Digital Signal Process,DSP)+可编程阵列逻辑(Field Program Gate Way,FPGA)正在广泛应用于复杂的数字信号处理领域。针对DSP与FPGA单个处理器性能有限、不够灵活等问题.提出DSP+FPGA架构的系统设计方案.基于TMS320C6748(DSP)和EP3C40Q240C8N(FPGA)芯片的外部存储器接口(External Memory Interface,EMIF)实现了DSP+FPGA的协同处理系统。该系统利用FPGA在底层算法的优势与DSP在复杂算法的优势,具有硬件结构灵活、通用性强等特点,相较于单个芯片提高了系统性能,经过测试该系统运行稳定,无误码时通信速率可达到20 MB/s.

摘要：针对尿沉渣图像的背景和目标区分度低、有形成分复杂,导致提取困难的问题,设计了一种融合形态学和Snake模型的尿沉渣提取算法。采用基于区域生长的阈值分割方法对尿沉渣进行粗定位,通过形态学的方法确定Snake模型的初始蛇,并将C anny的边缘定位法融入到Snake模型的贪婪算法中,最后完成对尿沉渣的准确提取。实验表明融合算法性能稳定,所提取的尿沉渣区域定位准确;特别是解决了虚假边缘和边缘断裂现象较为严重的尿沉渣轮廓提取问题。

摘要：提出了一种满足EPCglobal Gen2协议对链路时序规定的射频识别(RFID)标签芯片低功耗数字基带处理器的设计。该设计将全局时钟设定为反向散射频率(BLF)的二倍频率2BLF,建立基带数据处理时间和BLF的关系;并采用门控时钟、行波计数器及状态编码等技术降低基带处理器功耗。该芯片经TSMC 0.18μm RF工艺流片验证,实测结果表明,提出的基带处理器完全满足协议中关于链路时序的要求,功耗降低了22.46%,面积减少了18.03%,标签识别速率最高为96.3次/s,识别距离可达6.8 m。

摘要：针对尿沉渣图像的背景和目标区分度低、有形成分复杂,导致提取困难的问题,设计了基于加权梯度和Snake模型的尿沉渣提取算法。首先采用基于区域生长的阈值分割方法对尿沉渣进行粗定位,然后通过形态学的方法确定Snake模型的初始蛇,最后将加权梯度融入到Snake模型中,完成对尿沉渣的准确提取。实验表明算法性能稳定,所提取的尿沉渣区域定位准确。特别是解决了虚假边缘和边缘断裂现象较为严重的尿沉渣轮廓提取。

摘要：随着人工宝石加工的机械化程度提高,人工宝石的交易量大幅度提升,快速大批量宝石颗粒计数的工具成为市场急需。鉴于此设计了一种基于图像的自动人工宝石计数装置,通过特殊结构的入料装置将批量的人工宝石进行分散并控制宝石数目,并采用多排多孔的滚轴提高计数效率,最后利用图像采集和处理系统对分散宝石进行批量计数,从而保证计数装置的高效性和高准确率。整个宝石计数过程自动高效完成,实验显示可以满足大批量宝石计数的需求。

摘要：系统阐述了 CAD技术在 MCM设计中的作用、MCM CAD的环境及 MCM CAD的方法和流程 ,指出了目前国内外 MCM CAD技术的发展现状和发展趋势 ,分析了目前 MCM CAD设计技术的研究热点。

摘要：采用多巴胺(DA)对氧化石墨烯(GO)进行改性得到聚多巴胺改性石墨烯(PDA-rGO),通过溶液共混法制备PDA-rGO/溴化丁基橡胶(BIIR)复合材料,研究PDA-rGO用量对复合材料性能的影响。结果表明:DA的改性抑制了GO在BIIR基体中的堆叠团聚,并增强GO与BIIR基体间的界面相互作用;与BIIR胶料相比,PDA-rGO(用量0.5份)/BIIR复合材料的交联密度增大58%,对于甲苯的溶胀指数减小14%,拉伸强度增大40%,其综合性能最佳;在频率1 kHz下,PDArGO(用量0.5份)/BIIR复合材料的相对介电常数增大26%,其液敏元件对甲醇和丁酮的电容响应度显著增大,分别达到10.7和79.4,PDA-rGO/BIIR复合材料有望用于某些有机溶剂的鉴别。

摘要：本研究运用第一性原理计算方法,系统地研究了无序碳单层材料不同位点的电子结构及其析氢性能.计算结果显示无序结构中的C-C键相比于石墨烯中的C-C键在26.7%的范围内有不同程度的拉伸或压缩,使得C原子电荷在-0.17~+0.16个电子范围内变化,导致部分C原子电子局域化.电子的局域化增强了C原子的化学活性,从而表现出了较强的吸附性能.我们发现H原子与C原子的键合及析氢性能与C原子间的键角相关.对于三配位的碳原子,其中三个价电子通过sp^(2)杂化轨道与最邻近的碳原子结合形成较强的共价键,而余下的一个p^(z)轨道电子可以与H原子在垂直于原子层的方向形成较弱的化学键.无序结构可以打破三个sp^(2)杂化轨道的对称性,进而影响p^(z)轨道与氢的成键.本研究在一定程度上揭示了单层无序碳材料结构-性能的构效关系,为实验上设计特定性能的无序碳功能材料提供理论指导.

摘要：由于β-Ga_(2)O_(3)材料难以形成P型掺杂,目前β-Ga_(2)O_(3)功率器件大多为无结耗尽型。为了解决β-Ga_(2)O_(3)器件难以形成增强型的问题,提出了一种具有β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结的纵向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS)。添加P型4H-SiC后,利用形成的PN结的单向导通性得到了正阈值电压,实现了增强型器件。使用Sentaurus TCAD仿真软件模拟了器件结构并研究了其电学特性,通过调节SiC厚度、SiC沟道浓度、外延层厚度和外延层浓度四个重要结构参数,对器件的功率品质因数进行优化设计。优化后的器件具有1.62 V的正阈值电压、39.29 mS/mm的跨导以及5.47 mΩ·cm^(2)的比导通电阻。最重要的是器件的关态击穿电压达到了1838 V,功率品质因数高达617 MW/cm^(2)。结果表明,该β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结VDMOS为实现高性能增强型β-Ga_(2)O_(3)功率器件提供了一种可行的设计思路。