摘要：本文设计了不同电场调节策略的Ga_(2)O_(3)SBD器件,通过研究器件结构、钝化层方案下器件电学特性,分析不同终端结构(场板结构FP、边缘终端结构ET、沟槽型Trench、高K钝化)下Ga_(2)O_(3)SBD的结构设计.此外本文结合理论分析和实验数据拟合,完善了Ga_(2)O_(3)材料和器件模型,通过对比实验数据验证了模型的正确性.研究发现:(1)高K钝化(κ>100)结合场板结构可有效舒缓表面电场并提升结终端效率,2μm Ga_(2)O_(3)SBD采用BaTiO_(3)钝化场板可实现终端效率91.4%,V_(br)=1.43 kV,巴利加优值BFOM=1.62 GW/cm^(2),七倍于Al2O_(3)FP SBD;(2)采用BaTiO_(3)钝化的FP&ET复合终端可实现终端效率93.6%,V_(br)=1.46 kV,BFOM=0.41 GW/cm^(2);(3)相较FP设计,SiO_(2),Al2O_(3),HfO_(2)钝化的FP&Trench SBD更适于改善SBD导通电阻Ron,sp,V_(br)及BFOMs.上述研究为优化Ga_(2)O_(3)功率器件性能提供了理论依据和参考.

摘要：研究网状波分复用(WDM)光网络中动态多播业务的保护方案,提出一种共享保护和重配置(SPR)算法。该算法根据网络状态动态调整链路代价,为每个多播业务请求建立最小代价工作树,并为光树上互不重叠的工作段提供链路分离的保护段。当网络中发生链路失效时,进行业务段保护切换和局部资源重配置。仿真表明,该算法可以合理共享波长资源、平衡网络负载,有效保护WDM网中任意单链路失效,并在多链路失效情况下大大提高业务恢复能力。