摘要：提出一种SOI基背栅体内场降低BGREBULF(back-gate reduced BULkfield)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(>600V)击穿特性的影响,在背栅电压为330V时,实现器件击穿电压1020V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路.

摘要：提出了一种设计多层雷达吸波材料的方法。在使用普通的损耗材料进行设计时,很难在低频段获得较低的反射率。磁性金属纤维在低频段比普通损耗材料具有更大的磁导率,此前还没有包含磁性金属纤维的吸波材料的设计。文中的设计将磁性纤维作为一层,其他层由普通的损耗材料构成,利用设计的一个程序对这几层材料的参数和厚度进行了优化,该程序利用了改性的遗传算法。得到的结果显示出反射率在低频段有了明显的改善(-8dB对比普通设计的-3dB)。此设计提供了一种获得优良吸波材料的方法。

摘要：在开关电源的设计中,功率变压器的设计是极为关键的,尤其当工作频率提高后,若没有新的变压器优化设计方法,是无法达到提高整个电源功率密度的目的。该文在深入分析了高频变压器的设计原理后,提出了一种有效的优化设计方法,可降低变压器的功率损耗,提高开关电源的效率。

摘要：提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9 ,低频下输出噪声频谱密度为1.5 mV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。

摘要：首次提出一个用左手媒质设计的微波空间滤波器。左手媒质是一种人造媒质,在某一微波波段内其介电常数和磁导率同时为负值。利用左手媒质的特殊性提出了一个设计空间带通滤波器的方法,并给出一种频率为9.9～10.1GHz的带通滤波器设计。该滤波器具有用通常材料无法达到的优异的特性。

摘要：根据正压电荷泵的理论推导出负压电荷泵的基本单元,得出了低电压供电的2倍负压泵和为提高其效率而采取的一些优化方法。最后在2倍负压泵的基础上给出一个1.5V工作电压高性能3倍负压泵的设计实例。该3倍负压泵的设计经流片证明是成功的,并且已经应用于量产产品中。

摘要：利用集总参数元件进行叠层片式低通滤波器的设计,并使用ULF140材料,经低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制作出符合0805封装尺寸要求的截止频率为200MHz的叠层片式低通滤波器。用矢量网络分析仪Agilent 8722ES对样品进行了相关测试,测试结果为:滤波器3dB的频率点为200MHz,500MHz时带外抑制达到26dB。其仿真结果与实测结果吻合。采用该方法,解决了设计和制作LTCC叠层低通滤波器的一致性问题。

摘要：根据静磁表面波的基本理论建立了静磁表面波带通滤波器的设计模型 ,以实用化的静磁表面波带通滤波器为目标 ,重点考虑了静磁表面波带通滤波器的中心频率与带宽控制问题 .依据模型对滤波器进行了设计、制作和测试 .实际制作的滤波器性能指标为 :中心频率调谐范围为 4 .2～ 5 .2GHz、3dB带宽 180MHz± 6MHz、插损 11dB左右、带外抑制大于 30dB ,与理论设计结果基本一致 ,从而得到了实用化静磁表面波静磁波带通滤波器的原形 .进一步提高器件的中心调谐频率 ,在毫米波段将有广阔的发展前景 .

摘要：脉冲跨调制(PSM)是一种异于PWM、PFM的功率变换调制模式。本文从能量平衡和避免进入音频范围的角度出发,提出一种基于负载状态的分段式PSM调制模式,并给出了该分段式PSM调制模式的工作原理、占空比的设计方法、验证电路和实验结果。该改进模式使PSM成为实用性调制模式,尤其适合于功率集成IC的设计。

摘要：结合声表面波的基本理论和递归刚度矩阵法,通过将瑞利波从声表面波中分离,推导出基于ZNO/金刚石/Si结构的有效介电常数数学模型。根据所建立的数学模型,采用Matlab编制出相应程序,计算得到瑞利波的相速度和机电耦合系数频散曲线。该频散曲线具有较高的精确性,能很好地反映出瑞利波的频散特性。本文从解基本的波动方程理论出发,得到了三层结构的有效介电常数数学模型,并且将其程序化,最终得到了声表面波器件设计中的两个重要参数,为多层薄膜器件的设计奠定了一定的基础。