摘要：采用新型方法设计了一个具有两个有限传输零点的集总参数二阶小型化低温共烧陶瓷(LTCC)带通滤波器。滤波器是基于电容耦合谐振带通滤波器的基础上进行设计的。两个谐振腔之间的共同接地电感使滤波器产生了两个有限传输零点,通过调节接地电感的大小可以改变高频处传输零点的位置,致使滤波器具有优良的带外抑制性能。滤波器设计紧凑,整个封装尺寸仅为2.5mm×2.0mm×0.9mm,满足1008型号封装要求。

摘要：设计了一个具有3个有限传输零点的小型化高阻带抑制三阶带通滤波器(BPF)。采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现了一个中心频率在2.45GHz、带宽100MHz的带通滤波器,且具有优良的带外抑制性能,输入、输出驻波比低于1.12。通过在每个谐振腔上增加一个小型电感,在带外产生了多个有限传输零点,零点的位置可通过控制电感值的大小轻松移动。整个滤波器的外形尺寸为3.2mm×2.5mm×1.5mm,满足1210型号封装要求。

摘要：总结了低功耗逐次逼近寄存器模数转换器代表性技术及解决方案的最新研究进展。这些模数转换器采用的结构包括有采样开关信号泵升结构、电容阵列翻转结构、低功耗比较器结构等。从逐次逼近寄存器模数转换器各模块设计的角度,介绍了各种改进的新技术。介绍了预量化技术和旁路窗技术。这两种技术通过优化电路结构和增加辅助电路,实现模数转换器的低功耗。该综述为设计者了解新的低功耗逐次逼近型模数转换器研究提供了有益参考。

摘要：本实验采用共沉淀法制备Ce∶YIG粉体。通过对反应体系的pH值的研究,确定了反应的最佳pH值范围为8～9,得到了颗粒分布均匀的粉体。经电子探针微区分析,粉体的组分与实验设计的配方相吻合。粉体在不同的温度条件下进行烧结实验,经XRD分析证实,YIG的成相温度在650℃附近。可以认为,用共沉淀法制备的Ce∶YIG粉体化学活性好,烧结温度低。

摘要：在低供电电压下,Sigma-Delta调制器因信号摆幅的限制很难达到较高的精度和线性度。工作在低压弱反型区的MOS管限制了电路的速度、增益和MOS开关的性能。总结了近年来低压、低功耗Sigma-Delta调制器的研究成果。在Sigma-Delta调制器的结构与电路设计方面,介绍了离散和连续时间调制器在低压下面临的问题及解决方案。

摘要：为了获得适合功率电感磁芯材料的磁导率及提升器件的直流特性,提出了在器件磁芯材料层中引入一定厚度的非磁性气隙层可有效调节磁芯材料的磁导率,以提升器件的直流偏置性能.设计仿真了尺寸为2.0 mm×2.5×1.05 mm,含有10匝线圈的叠层功率电感中引入非磁性气隙层的直流特性.研究了在磁芯中部引入5～20 μm不同厚度气隙层的直流特性,结果表明直流电流从1.18A上升到2.34 A;同时研究了引入不同层数及不同分布排列的气隙层的直流特性,表明气隙层数越多,分布在磁芯中越稀疏,可获得更好的直流性能.

摘要：锰铜计是一种特种传感器,主要用于测量冲击波产生的超高压力。其量程上限可达50GPa,是现有传感器中最高的。为满足国防工程的特殊需要,须进一步提高传感器的量程上限及缩短传感器的响应时间。笔者通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜化的锰铜传感器,所得到的主要结论及创新性的结果可归纳如下:

摘要：介绍了小区模糊变频调速恒压控制系统的控制原理、软硬件设计及仿真结果。

摘要：采用单源化学气相沉积 (SSCVD)法 ,在Si( 1 0 0 )基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度 ,获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。研究发现 ,入射角度的改变可使沉积薄膜中的柱状结构的生成方向倾斜。但X射线衍射 (XRD)分析表明 :ZnO薄膜的c轴 ( 0 0 2 )取向与入射角无关 ,且不沿ZnO柱状结构的生长方向取向。由于ZnO的 ( 0 0 2 )面为其表面自由能最低且原子密度高的晶面 ,ZnO薄膜的生长更易于在垂直于基片表面的方向c轴取向生长。

摘要：提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统,该系统含有低噪声放大器、混频器和第二级放大器,所有的电路都集成在硅材料工艺中,可以用于频率在12GHz的卫星通信频段信号的接收。