摘要：介绍了一种利用MEMS技术制作的微振荡型PCR芯片.与常规PCR产品相比,具有快速、微量和低耗等优点.设计了该芯片的工艺流程并进行了投片,通过实验成功验证了该器件的可行性.

摘要：理论分析了工作温度对大功率激光二极管的工作波长、电光效率和器件寿命等的影响,采用波长补偿、高特征温度无铝材料设计外延和一体化烧焊等技术,设计制作了808 nm准连续波（QCW）高温激光器阵列。在热沉温度70℃的工作条件下,80 A单条输出功率大于65 W,20℃-70℃范围内特征温度T0达到145 K。10叠层阵列电光效率达到53%,工作寿命大于109次脉冲。

摘要：根据5G信号对通道带宽的要求,通过研究陶瓷基板中“类同轴”互连的微波特性,设计了一种新型非垂直互连结构,通过陶瓷介电层之间金属化通孔的错位设计,改善垂直过孔与水平传输线转弯处的阻抗突变,更有利于高频信号的传输,进一步扩展带宽。分析了错位角度、阶梯级数、焊球半径和焊球间距对传输性能的影响,设计并实现了宽带低损耗互连陶瓷基板。测试结果表明,该结构的最高应用频率可达55 GHz,在DC-55 GHz频带内插入损耗小于1.5 dB,回波损耗大于15 dB,同时利用实测数据进行信号传输验证,结果表明在未引入预加重、均衡的情况下即可满足56 G/112 G NRZ,112 G PAM4高速信号的传输。

摘要：通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。

摘要：针对高功率全固态激光器抽运源的需求,开展了808 nm连续1500 W阵列激光器封装技术研究。理论上从封装应力、封装热阻和光束整形等三方面分析了大功率激光器封装的要求。解释了封装应力来源、表现和缓解途径;模拟了微通道热沉结构的封装散热效果云图;指出了光束整形的必要性以及与封装残余应力的关系。技术上通过研制铟/金复合焊料体系,配合控制烧焊曲线和烧焊过程,得到了良好的烧焊效果;结合设计使用高精度光束整形装配夹具,实现阵列平均"smile"值2μm,发散角6 mrad的实验效果。

摘要：探讨了MEMS电容式加速度计的结构、电路、制造工艺和系统等各方面的可靠性,总结出了表面粘附、结构断裂、分层失效和辐射失效等几种主要失效模式,并进行相应的失效机理分析.通过可靠性实验进行了验证,发现非致命的环境影响因素中,温度对电容式加速度计性能影响最大,最终完成了满足实用化要求的MEMS微加速度计设计.

摘要：根据用户需要,该文设计了一种小体积低相噪40 MHz恒温晶体振荡器。该振荡器采用低噪声线性稳压器(LDO)作为电源、SC-切晶体谐振器及B模抑制网络等设计,在减小体积的同时提高了产品的相位噪声。温控系统采用直放式加热电路,比例积分的算法,有源负载作为加热元件,提高产品的控温精度,降低环境温度变化对振荡器带来的影响。该振荡器工作稳定可靠,工作电压仅为5 V。其温度-频率特性绝对值不大于0.02×10^-6(-30^+70℃),相位噪声不大于-160 dBc/Hz@1 kHz的指标。功耗仅为0.9 W,体积仅为20 mm×12 mm×10 mm。

摘要：芯片热流密度持续增加对封装散热提出了新的挑战,液冷微流道散热技术是解决封装热控制问题的重要研究方向.针对陶瓷封装高功耗芯片散热需求,本文提出在陶瓷基板上嵌入微流道,以缩短芯片与热沉距离,降低热阻,同时减小热控系统体积,实现热控、电气互连与结构的集成.嵌入式微流道结构设计的关键是如何考虑基板上的密集布线和通孔,避免布线、通孔和微流道的相互干涉.考虑布线和通孔的微流道结构,提出了微流道-布线-通孔的陶瓷基板一体化工艺方法.测试结果表明,微流道层位置的影响大于结构参数影响,微流道入口主流道汇流层与散热层应设计在同一结构层.设计的微流道陶瓷基板满足功耗100 W的芯片散热要求.

摘要：介绍了一种可实现微波混合集成电路三维集成的设计方法。该方法在陶瓷基板上采用薄膜混合集成工艺制作多层薄膜电路结构,利用球栅阵列连接实现多个基板的三维集成互联组装。该设计可使混合集成电路的集成度进一步提高,并可改善安装方式和调试难度。同时对三维集成设计方式和应用特点进行了分析和研究,为小型化混合集成电路应用提供了有效的解决方案。

摘要：采用MEMS工艺在两层高阻硅衬底上研制了一种低损耗的X波段滤波器.使用HFSS软件进行了结构仿真及优化,得到的带内损耗小于2dB,带外抑制大于40dB.设计了该滤波器的工艺流程并进行了投片,经测试,获得的滤波器的测试结果与仿真结果比较接近.