摘要：本文介绍了微机械薄膜和各向异性腐蚀的理论和特点，对Ｓｉ３Ｎ４ 平膜和纹膜着重进行了理论分析，叙述了微型薄膜的设计方法和试验结果。

摘要：本文应用于Ｊｏｎｅｓ矩阵和光学设计方法，导出了光纤活动连接中二次曲面型端面的插入损耗、反射损耗的解析表达式，对分析和改进端面结构以及设计二次曲面型端面光纤连接器、光纤器件提供依据，并给出了对称二次曲面型端面的曲率半径与透射、反射以及插入损耗、反射损耗的计算曲线。

摘要：通过计算机产生一定脉冲重复频率的窄脉冲来测试ＧａＡｓＦＥＴ或ＰＨＥＭＴ的Ｉ－Ｖ特性，能大大克服器件在直流状态下的热效应和电子陷阱效应，对器件大信号建模和器件机理分析具有重要意义，着重论述了测试仪的硬件、软件设计和实际使用效果。

摘要：介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０～６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ＞３６ｄＢｍ，Ｇｐ＞４０ｄＢ，ηａｄｄ＞３３％。

摘要：介绍了几种典型的微波电调滤波电路设计方法。经研究设计并制作了一相对带宽小于２％的电调带通滤波器。改进型谐振器设计使该电路具有温度性能好、制作简单、可靠性高等优点，并对该种电路进行了全波分析。

摘要：叙述了一种线性化器的工作原理。设计并应用微波ＣＡＤ软件模拟优化，从而改善了功率放大器在Ｐ－２点交调特性。其对三次交调的改善为５ｄＢ。

摘要：本文以机载电子设备测试系统的研制情况为例，详细论述了测试系统造型设计的全过程，并总结了造型设计的思路与步骤。

摘要：推导出了磁路在直角拐弯处磁路的理论计算公式,其结果为合理地设计磁头、变压器、传感器等元器件提供了科学依据.

摘要：通过计算机产生窄脉冲来测试GaAsFET的I－V特性，能大大克服器件在直流状态下的热效应和电子陷阱效应，对器件大信号精确建模和器件机理分析具有重要意义。本文论述系统的硬件、软件设计和实际使用效果。

摘要：本文介绍了功率GaAs MESFET的主要失效模式和失效机理.主要失效模式有突然烧毁致命失效、缓慢退化失效、击穿低漏电大失效、内外引线和热集中失效、器件性能的不稳定和可逆漂移.主要失效机理有结构设计不合理,材料和工艺缺陷,栅结、欧姆接触和材料退化,静电损伤等.提出了改进功率GaAs MESFETS可靠性的主要措施:全面质量管理,运用可靠性增长管理技术,合理的设计方案,先进的设备和工艺,优质的材料和管壳,严格的防静电措施及合理的筛选条件等.