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AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制
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《材料导报》2001年 第2期15卷 21-21页
作者：关兴国电子部十三研究所汇能公司石家庄050051 
80年代末期以来,用MOCVD生长的异质结、量子阱和超晶格材料日益显示出它在技术上的重要性,用其制作的LED具有常规器件无法比拟的优异性能,并且以全新的概念改变了器件的设计思想,使得半导体器件设计由“掺杂工程”走向“能带工程”,高...
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