摘要：在使用ATPG工具对集成电路进行固定故障测试时,嵌入式存储器模块被视为简单的I/O模型,ATPG工具无法传递存储器周围组合逻辑的故障。通过研究SOC的可测性设计后,针对某数字信息安全芯片设计,利用扫描设计原理,改进了其存储器周围逻辑的设计,为阴影逻辑提供了可测试路径,提高了整个芯片的测试覆盖率和故障覆盖率。分析了设计的功耗、面积,确定了设计的有效性。

摘要：面对日益华丽的OSD开发,出现了加载OSD信息的速度瓶颈。设计基于SPI总线,在FLASH与视频字符处理模块之间建立一条高速通道。该设计使用Verilog HDL语言实现RTL设计,详细阐述了高速SPI的设计思路,详细说明了IP核的系统架构,接口信号和子模块设计。经过FPGA验证结果表明,传输速率大幅度提高,满足在了OSD应用中高带宽的速度要求。

摘要：基于0.18μm CMOS工艺,设计出一个适用于class1蓝牙系统的高效率的差分E类功率放大器.驱动级采用自偏置Cascode结构,输入和级间匹配均片内完成,实现高集成度.在电源电压1.8V,温度60℃,输入信号0dBm条件下,仿真结果表明,该系统具有最大输出功率24.1dBm,PAE为57.9%,二次谐波分量为-40.05dBm,输出电压驻波比小于6∶1.采用间接闭环控制环路控制输出级的电源电压,实现了输出功率的步进为2dBm控制.整个系统最终实现低成本、高集成度.

摘要：介绍了一种以ARM高性能微处理器为核心,基于RS485总线的SoC产品自动化批量测试平台的设计方案。在对测试平台整体设计思路进行概述之后,介绍了其硬件组成及软件设计方法。经测试和实际运行表明,该测试平台能满足多种SoC产品的测试要求,能广泛应用于多种SoC产品的自动化批量测试中,提高生产效率,降低生产成本。

摘要：提出了一种多接口的通用存储装置,该装置具有良好的NAND Flash管理。它向用户提供线性的NAND Flash地址空间,使用户可以对NAND Flash进行透明的访问,而不需要深入了解NAND Flash的具体技术细节。同时,该装置具有多种接口,可以在多种不同接口的电子产品中作为数据存储介质使用。这样,不同接口的电子产品不用通过额外的设计或者转接器就可以使用本装置,给电子设备的设计和使用带来便利。

摘要：基于SOI工艺,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和器件仿真(Atlas)模拟软件,结合实际流片测试结果完成对600 V LDNMOS的设计和器件性能分析.整个器件采用环形版图结构,以优化器件的横向尺寸,漏端漂移区通过渐变掺杂技术(VLD)调节器件表面横向电场分布,并在漂移区上方加入一定厚度的槽氧层,从而增大器件的源漏击穿电压.流片测试结果(Vth=1.7 V,Idsat=48 mA,BV=550 V)表明,器件的各项指标基本达到预期目标,实现了设计和分析的目的.

摘要：设计了一个应用于GSM850／EGSM900／DCS1800／PCS1900四频带直接调制锁相环发射机的宽带电感电容压控振荡器，采用温度计编码控制开关电容阵列，获得了宽频率覆盖范围，通过优化获得了良好的相位噪声性能。整个电路采用TSMC0．18μm工艺实现，工作电压为3V。仿真结果表明：压控振荡器的频率范围3055-4176MHz（31％），调谐增益19MHz／V变化至44MHz／V，相对最大调谐增益的变化值为56．8%，频偏20MHz处相位噪声达到-155．7dBc／Hz以下，最大功耗30mW。

摘要：过采样技术给在VLSI领域的高精度数模转化器的实现提供帮助。该文提供了一个在时间上连续的2-2-2级联Sigma-Delta调制器结构设计。该级联调制器由3级二阶振荡环路滤波器,1-bit量化器和反馈部分的数模转化器组成。在MATLAB环境下,通过大量仿真验证最后得出:在采样率为50 MHz、5 V工作电压、过采样比为32的条件下,利用CMOS 0.18μm工艺,该调制器其SQNR为87 dB。

摘要：芯片设计中一个非常重要的环节是验证。随着FPGA技术的迅速发展使基于FPGA的原型验证被广泛的用于ASIC的开发过程,FPGA原型验证是ASIC有效的验证途径,但传统FPGA原型验证的可视性非常差。为了解决传统FPGA原型验证可视性的问题,验证工程师采用了结合TotalRecall技术的FPGA原型验证方法对一款鼠标芯片进行验证。获得该方法不仅能提供100%的可视性,还确保FPGA原型验证以实时硬件速度运行。该方法创新了ASIC的验证方法学。

摘要：基于0.18μm CMOS工艺,采用间接闭环控制方式,设计出一个适用于Class 1蓝牙E类功率放大器的低成本、高集成度输出功率控制电路。输出级电源电压采用类似LDO的结构控制。提出了一种新颖的一阶线性偏置电压结构,实现对输出级偏置电压的控制,极大地改善了功放的功率增益相对于控制电压的线性度,提高了PAE,最终实现了对输出功率2 dBm的步进控制。后仿真结果表明,输出功率控制精度较高,并具有较好的温度特性。