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355nm纳秒脉冲激光在硅表面照射形成微结构及其荧光检测: 收藏
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引用; 《中国激光》2010年第8期37卷 2139-2142页; 作者：刘春阳孙立东傅星孙凤鸣胡春光 Peter Zeppenfeld 胡小唐天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室天津300072 约翰.开普勒大学实验物理研究所; 利用自主研发设计的波长为355 nm的纳秒脉冲激光微加工系统,在硅（100）表面进行照射加工,形成了线槽宽度约25μm的微结构。利用荧光显微检测和光谱检测等观测手段,对形成的线槽结构进行观测分析,发现加工过的区域可以发生强烈的光致发...; 利用自主研发设计的波长为355 nm的纳秒脉冲激光微加工系统,在硅（100）表面进行照射加工,形成了线槽宽度约25μm的微结构。利用荧光显微检测和光谱检测等观测手段,对形成的线槽结构进行观测分析,发现加工过的区域可以发生强烈的光致发光现象。使用波长范围为400～440 nm的照明光照射加工区域,可以激发出波长范围为400～700 nm的荧光,且荧光光强随时间呈现指数衰减变化。从而证实了纳秒脉冲激光的照射加工改变了硅材料的光学属性,为利用脉冲激光加工制备硅基光电器件和结构进行了探索。; 来源：详细信息评论

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