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0.13μm CMOS芯片上窄脉冲成型电路: 收藏
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引用; 《电路与系统学报》2011年第4期16卷 131-134页; 作者：邹焕李家胤王平山中国电子科技大学物理电子学院四川成都610054 美国克莱姆森大学电子计算机工程系29631; 本文将脉冲功率领域中基于脉冲成型线的窄脉冲产生技术运用于芯片电路设计中,基于0.13μm的CMOS工艺,进行片上电路设计与实现。用CadenceTM Spectre Simulation进行了原理图和版图仿真分析,选用标准的片上共面波导(CPW)作为脉冲成型线(P...; 本文将脉冲功率领域中基于脉冲成型线的窄脉冲产生技术运用于芯片电路设计中,基于0.13μm的CMOS工艺,进行片上电路设计与实现。用CadenceTM Spectre Simulation进行了原理图和版图仿真分析,选用标准的片上共面波导(CPW)作为脉冲成型线(PFL),采用NMOS晶体管作为开关,仿真结果表明在共面波导的长度为268μm时,产生的窄脉冲宽度最小可达8ps。将共面波导长度为4mm的脉冲成型电路进行商业化0.13μm CMOS技术流片,在50Ω负载上测得的脉冲宽度约为160ps,幅值为110～180mV。; 来源：详细信息评论

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