摘要：为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池。本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50％的内量子效率,在253nm也有较好的响应。有望获得高效率的应用于AMO条件的InP太阳电池。此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器。

摘要：为了给在高辐射轨道运行的卫星等航天器提供长寿命、强抗辐射太阳电池 ,设计了一种具有最佳结构的n+ i p+InP太阳电池。计算机模拟结果表明 ,即使经 10 17MeV·cm-2 和 10 18MeV·cm-2 的辐射辐照后 ,仍可具有 11%和 7%的转换效率 ;EOL(endoflife)功率质量比可达 10 0W /kg。无需防护罩 ,能够为运行在 32 0 0km极地轨道上的航天器稳定提供十年能量 ,这一指标超过了目前任何一种在研的太阳电池。特别值得一提的是 ,所有这些结果都是基于文中所示的简单结构而获得的。

摘要：设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管 ,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响 .结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性 ,特别是在短波方向有高于 80 %的内量子效率 .这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时 ,外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小 ,器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性 ,从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据 .