摘要：物理不可克隆功能是一种新型的信息安全硬件,在物联网、消费电子等领域得到了越来越广泛的应用。基于SRAM的PUF是工业上应用最广泛的一种类型。基于华宏0.11μm CMOS工艺的SRAM PUF,通过引入BCH算法解决了SRAM的不稳定性造成的误码率问题。通过设计单片机测试电路和PUF芯片测试板,对PUF芯片的片内汉明距离、片间汉明距离和稳定性等关键指标进行了详细的测试和分析。测试结果表明,PUF的片间汉明距离达到42.2%,片内汉明距离达到20.0%,并且具有很好地电压稳定性与温度稳定性。在BCH算法纠错机制运行的情况下芯片片内汉明距离降为0,很好地解决了PUF实现过程中的误码率问题。基于本项研究可知,通过BCH算法与SRAM单元相结合的方式可以很好地解决PUF常出现的不稳定性的问题。BCH算法与SRAM单元相结合的PUF芯片可以很好地满足识别、电子标签等应用的需要。

摘要：设计了一种基于阳极键合的环形谐振器的制作方法,用以简化环形静电陀螺谐振器的制作工艺。采用(100)及(111)顶层硅的SOI,分别通过阳极键合工艺制作了硅基环形陀螺谐振器。分析了不同晶向下频率裂解的产生及对陀螺谐振的影响,同时通过仿真分析了晶向对双波腹与三波腹振型的影响程度。利用网络分析仪在真空腔内对器件进行扫频测试实验,得到了两种器件的幅频响应特性,讨论了双波腹与三波腹工作模态与晶向的关系。双波腹相对于三波腹更易受加工条件的影响,而相对的振动幅值更大。同时设计静电调谐的方法,解决了(111)晶向硅基双波腹存在的频率裂解较大的问题。

摘要：1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。

摘要：实现了一种可检测多种气体的气敏传感器阵列的自动测试系统;提出了可精确控制气体流量的配气系统;采用美国国家仪器(NI)公司的Compact FieldPoint模块实现了气敏传感器阵列的数据采集和测试系统的控制;并且利用图形化软件LabVIEW设计了一种兼容Compact FieldPoint模块的自动化控制和测试软件;结果表明,该自动测试系统稳定、便捷,可以在计算机自动测量与控制领域广泛的应用。

摘要：为解决强流混合场快中子注量率实时测量的难题,本文基于反冲质子法,以耐辐照性能强、噪声低的半绝缘型(SI)GaN半导体材料为基础,采用带石墨平衡体及聚乙烯转换靶的并联结构,设计补偿式电流型探测器的方案,有效地降低了γ射线灵敏度。利用该探测器测量了西安脉冲堆1#径向孔道内混合场的快中子注量率,其结果与已有测量结果符合较好,验证了该方案的可行性。

摘要：为了直观准确地记录和计算空间骨架结构的状态,提出一种仿生关节链球坐标系.对于待求活动关节,在已知与其相连的前两节节棍位置状态的前提下,利用当前节棍的长度值和链球坐标系下的2个角度值来精确计算关节新位置的三维笛卡儿坐标值.最后结合高维仿生信息学理论的应用,证明了采用该坐标系对骨架结构进行的刻画可以逼真地反映状态上细微的、连续的变化,无冗余信息,比传统方法参数少、速度快、应用范围广,可生成丰富的姿态,有利于艺术创作.

摘要：在聚光型光伏系统中,聚光光斑的幅照度不均匀性会降低光伏电池的光电转换效率;并且造成光斑局部点的能量过高,灼伤光伏电池。根据非成像光学理论,介绍了一种基于分布式焦点法设计线聚焦菲涅耳聚光器的方法,并与传统采用共焦法设计的线聚焦菲涅耳聚光器进行了对比分析。结果表明:在保证能量聚光比以及最大能量透过率不变的情况下,使用分布式焦点法设计的菲涅耳聚光器可使聚光光斑的辐照度均匀性得到很大改善,有利于提高光伏电池的光电转换效率,延长光伏电池的使用寿命。

摘要：基于FLASH的存储系统复写旧数据时需要通过地址映射层(flash translation layer,FTL)分配新的写入地址,因此旧的数据在一段时间内仍存在于系统中,在这样的系统上实现连续数据保护(continuous data protection,CDP),只需找到旧的映射信息,不需额外保存数据的更新信息。利用FLASH的带外区(out of band,OOB)记录时间戳,在FTL的映射项中增加时间戳信息,在不跟踪映射表每次更新的情况下,达到数据快速恢复的目的。该方法降低了对存储系统性能的影响,实现了快速的数据恢复响应。

摘要：利用定向耦合器代替Y形分支结构,在X-cut铌酸锂(LN)基底上设计了一款具有低驱动电压、高调制参数的马赫-曾德尔(M-Z)型电光调制器。采用有限元法对定向耦合器的原理及影响因素进行了详细分析和精确计算,并对电光调制器的关键结构参数进行了优化。结果表明:光波沿着定向耦合器传播时,能量在两波导中来回交替,呈正弦和余弦函数分布,并且耦合长度随着其间距的增大而快速增大。在调制臂长为3cm,光波长为1550nm的情况下,单臂调制所获得的半波电压Vπ为2.22V,调制参数S21为-51.13dB。通过对调制臂进行截面分析,给出了电场Ex分量、电位移矢量Dx分量和光模分布,并求得重叠积分因子为0.486。同时还表明脊形波导结构有利于提高电光作用效率。当脊高为1μm时,重叠积分因子为0.714,相较于平板波导,其电光重叠积分因子提高了46.91%。

摘要：介绍了GaAs基太阳能电池的原理、等效电路及性能参数,基于集成电路工艺与器件计算机辅助工艺设计(TCAD)仿真工具,设计了背场分别为InAlGaP和InAlP的两种GaAs基太阳能电池,并对其结构和性能进行仿真。同时,通过分子束外延(MBE)设备制备了这两种太阳能电池,并测试了其伏安(IV)特性。在考虑并联电阻和串联电阻对太阳能电池伏安特性的实际影响后,仿真结果与实验结果基本一致。重掺杂(原子浓度为2×1018 cm-3)的InAlGaP作为GaAs太阳能电池背场时,伏安特性曲线是典型的太阳能电池的伏安特性。重掺杂(原子浓度为2×1018 cm-3)的InAlP作为GaAs太阳能电池背场时,伏安特性曲线呈现"S"形变化。分析结果表明,背场与基层形成漂移场,加速了光生少子在电池中的输运,提高了光生电流,同时,背场将光生少子反射回有源区,降低了背表面的复合概率。当InAlP作为背场时,由于异质结的存在,影响了载流子的运输,在较小的偏压下,载流子主要通过隧道效应越过势垒,在较大的偏压下,载流子主要通过热电子发射越过势垒,因此伏安特性曲线呈现"S"形变化。