限定检索结果

检索条件"机构=苏州英诺迅科技有限公司苏州市射频功率器件与电路工程技术研究中心"
5 条 记 录,以下是1-10 订阅
视图:
排序:
一种自适应线性化偏置的单片集成功率放大器
收藏 引用
《微电子学》2012年 第2期42卷 141-145页
作者:陈良月 俞汉扬 李昕 杨涛 武文娟 高怀东南大学集成电路学院南京210096 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096 苏州英诺迅科技有限公司&苏州市射频功率器件及电路工程技术研究中心苏州215123 
提出一种自适应线性化偏置的电路结构,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态,提高功率放大电路的线性度,降低偏置电流对参考电压和环境温度的敏感度。利用双反馈环结构抑制输入阻抗随频率的变化,实现了宽带匹配,拓展了放大器的带宽。...
来源:详细信息评论
一种适用于RFID阅读器的新型自动增益调节电路
收藏 引用
《电视技术2011年 第19期35卷 58-61页
作者:武文娟 庄建东 陶煜 李昕 高怀东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心江苏南京210096 苏州英诺迅科技有限公司 苏州市射频功率器件及电路工程技术研究中心江苏苏州215123 东南大学集成电路学院江苏南京210096 
为了提高射频识别(RFID)阅读器中接收机的动态范围,并实现对贴有标签目标物体的跟踪,在分析传统自动增益控制模块的基础上,设计了一种适用于RFID接收机的大动态范围自动增益调整电路,电路结构简单。基于ADS软件的仿真结果表明:该电路能...
来源:详细信息评论
4~8GHz宽带单片集成低噪声放大器设计
收藏 引用
《电子科技2011年 第12期24卷 38-41页
作者:俞汉扬 陈良月 李昕 杨涛 高怀东南大学集成电路学院江苏南京210096 苏州英诺迅科技有限公司 苏州市射频功率器件与电路工程技术研究中心江苏苏州215123 
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款C波段宽带单片集成低噪声放大器。电路由三级放大器级联而成,三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底...
来源:详细信息评论
一款结构新颖的2GHz~8.5GHz宽带放大器
收藏 引用
《电子器件2011年 第6期34卷 677-680页
作者:李昕 杨涛 陈良月 俞汉扬 高怀东南大学集成电路学院南京210096 苏州英诺迅科技有限公司&苏州市射频功率器件及电路工程技术研究中心江苏苏州215123 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096 
提出了一种拓展带宽的新型电路拓扑结构,该结构由四级射极跟随器级联而成,通过自适应有源偏置电路调节各级晶体管跨导,以及改变级间电感与后一级射极跟随器的结电容Cbe谐振峰的频率位置来拓展带宽。对其工作原理和稳定性进行了分析,并基...
来源:详细信息评论
智能化5.8GHz双向功率放大器的设计
收藏 引用
《电子产品世界》2011年 第11期18卷 39-40,41页
作者:武文娟 陶煜 庄建东 李昕东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心江苏南京210096 苏州英诺迅科技有限公司苏州市射频功率器件与电路工程技术研究中心江苏苏州215123 
设计并实现了一款适用于802.16d标准的智能化5.8GHz双向功率放大器。接收通道采用LNA和增益模块级联构成的自动功率电平控制模块,在提高接收灵敏度的同时扩展了接收通道的动态范围。在满足802.16d标准下,其动态范围可达100dBm。发射通...
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部