摘要：研发了3.3kV高速IGBT模块。优化寿命控制极大降低了关断损耗和恢复损耗。该高速特性适用于双向和中频应用,例如谐振DC/DC转换器。展示了谐振DC/DC转换器模拟电路中IGBT的开关行为和二极管的反向恢复行为。显然,这种新设计的模块具有比传统高速模块更低的损耗,因此更适合与双向和中频应用。该设计概念也可用于6.5kV IGBT模块设计。另外,对谐振DC/DC转换器模拟电路,将新设计模块中二极管的损耗与3kV-SiC-JBS损耗做了比较。

摘要：研发了3.3kV高速IGBT模块。优化寿命控制极大地降低了关断损耗和恢复损耗。该高速特性适用于双向和中频应用,例如谐振DC/DC转换器,展示了谐振DC/DC转换器模拟电路中IGBT的开关行为和二极管的反向恢复行为。显然,这种新设计的模块具有比传统高速模块更低的损耗,因此,更适合于双向和中频应用。该设计概念也可用于6.5kVIGBT模块设计。另外,对谐振DC/DC转换器模拟电路,将新设计模块中二极管的损耗与3kV-SiC-JBS损耗做了比较。