摘要：基于原子层沉积技术提出了一种TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜作为微通道板导电层材料。根据微通道板的规格参数以及体电阻要求,推导出微通道板导电层薄膜的方块电阻范围为1.73×10^(13)~5.20×10^(13)Ω/□;研究了TiO_(2)循环百分比与TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜方块电阻之间的关系,发现当TiO_(2)循环百分比在30.27%~37.06%时复合薄膜电阻率满足微通道板导电层要求;设计制备了20 nm的Al_(2)O_(3)过渡层以及100 nm的TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜,测量厚度约为122 nm,且薄膜表面平整光滑,实现了微通道板微孔内壁TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜导电层的制备。在1000 V测试电压下,其体电阻为212.81 MΩ,增益为18357,表明TiO_(2)∶Al_(2)O_(3)纳米复合薄膜作为微通道板导电层具有可行性。