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检索条件"机构=西安交通大学电子物理研究所"
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基于PREF的扫描磁铁电源设计与实现
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《强激光与粒子束》2024年 第3期36卷 106-111页
作者:樊琪 臧航 郭旗 燕宏斌 史成城 上官靖斌 张云新疆大学电气工程学院乌鲁木齐830047 新疆极端环境电子学重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院近代物理研究所兰州730000 西安交通大学核科学与技术学院西安710049 
PREF装置是中国科学院新疆理化技术研究所与近代物理研究所联合设计建造的10~60 MeV质子同步加速器,属于国内唯一的位移损伤效应模拟试验专用装置。针对该装置的扫描磁铁电源输出电流频率200 Hz、跟踪误差小于≤±5×10^(-3)的...
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光合作用多色素捕光模型中光激发对能量传输的影响
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物理学报》2022年 第10期71卷 103-114页
作者:陈浩 田建民 孙雪健 吕可真 徐莉华 李宏荣青海师范大学物理与电子信息工程学院西宁810008 西安交通大学物理学院理论物理研究所西安710049 周口师范学院物理与电信工程学院周口466000 
光合作用激发能传输过程中量子效应的研究大都基于单激发初态假设,该假设能较好地描述人们关心的部分光合作用系统的初态.但对于不满足上述假设条件的自然及人工光合作用系统,激发过程对系统动力学有不可忽略的影响.本文基于由高斯脉...
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一种光栅/纳米颗粒结构的双共振SERS基底
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《光学学报》2022年 第14期42卷 12-18页
作者:吴春芳 段鹏飞 潘浩 朱业传 张凯锋 李坤 魏杰西安工业大学光电工程学院陕西西安710021 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室甘肃兰州730000 西安交通大学电子科学与工程学院陕西西安710049 
从提高表面增强拉曼光谱(SERS)基底的增强效果出发,设计了光栅/纳米颗粒复合结构,通过有限差分时域法(FDTD)对复合结构的消光特性和光场分布进行了仿真,并对光栅的传播表面等离子体(PSP)和纳米颗粒的局域表面等离子体共振(LSPR)之间的...
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单负材料光子晶体异质结构的双通道滤波
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《四川大学学报(自然科学版)》2016年 第4期53卷 818-822页
作者:康永强山西大同大学物理电子科学学院固体物理研究所大同037009 西安交通大学理学院空间光学研究所西安710049 
通过传输矩阵方法,研究了单负材料光子晶体异质结构的双通道滤波特性.结果表明相比传统的双通道滤波结构,该结构中两个滤波通道频率可以单独调整,而不影响另一个通道.同时,两个滤波通道频率位置对入射角的变化不敏感.当考虑单负材料损耗...
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富士通21inch全色AC-PDP放电单元结构设计的物理原理
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《真空电子技术》2000年 第1期13卷 1-5页
作者:姚宗熙西安交通大学电子物理研究所陕西西安710049 
分析了富士通21英寸AC-PDP放电单元结构设计的物理原理。
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PDP寻址驱动电路及其改进
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《真空电子技术》2001年 第1期14卷 36-38页
作者:张军 沈思宽 赵萌西安交通大学电子物理研究所陕西西安710049 
本文分析了以往的彩色三电极表面放电型彩色 PDP中 ,寻址驱动电路的工作原理和不足之处。并对其不足设计出了一种分组数据传送方法。实验结果表明 。
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基于电流模式的硅像素探测器前端读出ASIC设计
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《核电子学与探测技术》2014年 第7期34卷 837-841页
作者:龙彪 魏微 刘书焕 王铮 贺朝会西安交通大学陕西710049 中国科学院高能物理研究所北京100049 核探测与核电子学国家重点实验室北京100049 
针对应用于同步辐射的硅像素探测器,设计了一种基于电流模式的像素型前端读出单元电路,像素单元电路主要包括电荷灵敏前置放大器、跨导放大器、电流甄别器、阈值调节电路和计数器等,实现了信号放大、电压转为电流、信号甄别以及计数等...
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GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计
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《红外与毫米波学报》1998年 第3期17卷 203-208页
作者:李娜 李宁 陆卫 沈学础 李国正 刘恩科中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室 西安交通大学电子工程系 
根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程,分析了在以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中.Ge含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影...
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具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT
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《Journal of Semiconductors》1992年 第2期13卷 109-115,T001页
作者:相奇 罗晋生 曾庆明 周均铭 黄绮西安交通大学微电子研究室西安710049 机械电子部第十三研究所河北石家庄050051 中国科学院物理研究所北京100080 
本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性.
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