摘要：初级反馈AC/DC转换器是近几年出现的一种新结构,如何精确控制它的输出电压是此结构的设计难点之一.描述了初级反馈AC/DC转换器的结构,并对其反馈电压波形进行了详细的分析.推导出初级反馈AC/DC转换器驱动管导通时间和变压器次级线圈退磁时间之间的关系,提出了利用驱动管导通时间确定反馈电压采样时刻的方法,从而实现对初级反馈AC/DC转换器输出电压的精确控制.测试结果表明,利用此方法设计的初级反馈AC/DC转换器,其输出电压的负载调整率2.92%～3.38%.

摘要：文章介绍 LS RISC中的 32位浮点乘法器的设计，它可用于完成定点 32位整数与序数的乘法操作和 IEEE754规定的单精度扩展浮点数据的乘法。

摘要：在支持预搜索的面积紧凑型BCH并行译码电路中,采用双路选通实现结构,在校正子运算电路的输入端完成被纠码序列与有限域常量的乘法,简化了电路结构;在实现IBM迭代算法时,为了压缩实现面积,复用一个有限域GF(2n)上的二输入乘法器,一轮迭代运行多拍运算;设计了全组合逻辑预搜索模块,加快了BCH截短码的搜索速度。同现有技术相比,该译码电路实现面积紧凑且关键路径短。综合与静态时序分析结果表明,对于512字节的信息元和8-bit的纠错能力,该译码器在80MHz工作频率下符合时序要求;在TSMC0.18μm工艺库下仅需约14800门,满足目前大容量存储设备对数据可靠性和成本控制的要求。

摘要：由于传统的内嵌地址产生器不能有效地支持数字信号处理应用的需要,在开发面向航天应用的高速信号处理器LS-DSP时,设计支持数字信号处理应用的地址产生器成为LS-DSP开发中的重要环节。本文通过研究常用的数字信号处理计算的数据地址运算特点,提出了LS-DSP地址产生器的生成算法。在根据该算法逻辑实现LS-DSP地址产生器时,为了减小地址产生器面积,针对循环类地址计算又提出了一种快速的动态START、END产生方法。实验结果表明,LS-DSP使用本文的地址产生器比采用传统的地址产生器可有效的提高数字信号处理运算的速度。

摘要：LS-DSP是针对航天数字信号处理应用而开发的32位可编程浮点数字信号处理器。本文讨论LS—DSP数据路径的设计,即ALU、乘法器、数据地址产生器三大功能单元的设计。在ALU的设计中,本文采用了一种新的前导0／1判断逻辑结构,其AT2比传统并行方式减少了约15．3％。在乘法器设计中,本文采用了一种新的尾数乘法阵列组织结构,其 AT2比传统的Wallace树结构减少了约12％。为了使LS-DSP更好的支持数字信号处理应用,本文提出了支持顺序、倒位序、循环三种数据寻址计算的数据地址产生器生成算法。LS-DSP现已投片成功,其采用0．5um三层金属布线CMOS工艺制造,面积6．2×6．7mm2,主频为50MHz。

摘要：针对上面级火箭强实时性、高可靠性和空间抗辐射的要求,提出一种基于多冗余可重构的计算机技术。描述上面级箭载计算机体系构架、工作模式、冗余重构、自主恢复、抗辐照设计等关键技术,运用多模冗余、可重构、自主恢复等进行上面级箭载计算机设计,从而提高上面级箭载计算机空间环境下的可靠性。实验结果表明,上面级箭载计算机可容忍双余度故障并对故障进行有效的检测,故障机自主恢复时间小于8 s。

摘要：SDA(Seria l D istribu ted A rithm etic,SDA)数字滤波器具有速度快、结构规整等优点,广泛应用于数字信号处理器芯片级电路实现中.SDA在采样数据值位跳变频率比较高时,会导致很大的移位寄存器功耗,降低了SDA的性能、功耗比.研究SDA数字滤波器的低功耗设计,主要途径是通过一种优化阶符的二进制数据表示方式来表示采样数据,以达到减小采样数据值位跳变频率的目的,从而实现减小SDA数字滤波器的功耗.实验结果表明,本文研究的低功耗设计方法可有效减小SDA数字滤波器10%的功耗.

摘要：有权和计算是数字信号处理中一种基础的计算模式.为了实现有权和计算ASIC的AT2的优化,研究了一种优化有权和计算中加法次数的方法.实验结果表明,采用研究的优化设计方法后,低通滤波有权和计算的加法操作次数平均可降低24%.

摘要：初级反馈结构形式的AC/DC转换器近几年来引起了国内外学者与应用工程师的研究和关注。对初级反馈结构的AC/DC转换器进行高低压过流保护(OCP)补偿,是提高此种结构AC/DC转换器性能,扩大其使用范围的关键性技术。论文介绍了一种在系统板级补偿初级反馈AC/DC转换器高低压OCP的方法后,提出一种利用驱动管导通时间的不同来补偿高低压OCP的方法。论文论证了利用驱动管导通时间不同实现高低压OCP补偿的原理,并采用此方法设计了一款初级反馈AC/DC转化器且投入实用。通过对设计的无高低压OCP补偿和有高低压OCP补偿两种AC/DC转换器进行对比测试,结果表明论文提出的补偿方法可以将AC/DC转换器的高低压OCP差值缩小33～47mA,提高了转换器的性能,对初级反馈AC/DC转化器的设计具有一定的参考意义。

摘要：研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研究;探讨在抑制浮体效应的同时减少对芯片面积影响的途径,对H栅双边体引出改为单边体引出进行了实验研究。对沟道长度为0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.8μm的H栅PD SOI MOSFET单边体引出器件进行工艺加工及测试,总结出在现有工艺下适合单边体引出方式的MOSFET器件尺寸,并对引起短沟道PMOSFET漏电的因素进行了分析,提出了改善方法;对提高PD CMOS/SOI集成电路的设计密度和改进制造工艺具有一定的指导意义。