摘要：西安电力电子技术研究所原隶属于机械工业部,是我国唯一从事电力电子技术研究和产品开发、生产的专业研究与科技型企业。在电力电子技术领域,已有近40年的历史,在我国电力半导体器件的设计与制造中占有重要地位。目前国内一些主要的器件制造工艺大部分源于我所,是我国第一只普通整流管、普通晶闸管、双向晶闸管、快速晶闸管的诞生地。国家电力电子产品质量监督检验中心、中国电器工业协会电力电子专业协会、中国电工技术学会电力电子学会、全国电力电子学标准化技术委员会等秘书机构均设在该所。

摘要：基于小偏差理论,对无摄动三体动力学方程沿标称轨道线性化,推导了其误差线性模型。在线性系统极点配置原理的的基础上,利用标准轨道状态向量选择闭环目标极点,通过设计闭环极点配置状态反馈增益阵K,实现了对地月系L1点附近受摄晕轨道的保持控制。针对K中三通道使用单一控制量级带来的控制误差,提出了利用入轨误差比例设计的可变反馈阵系数(Variable feedback matrix Kcoefficient,VKC)设计方法。VKC方法改善了原有控制方法的控制效果,在不同等级误差下减小跟踪方差和并获得了闭合周期轨道,试验证明了方法的有效性。

摘要：一、前言 1984年,美国***等首先发表绝缘门极双极晶体管IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)。由于IGBT兼备有MOSFET的高输入阻抗、快速性和双极达林顿晶体管(GTR)的高电流密度、低饱和电压的优点,所以深受电路设计者的欢迎。但是,最初由美国G.E开发的IGBT,它的下降时间长(数毫秒)导致开关速度慢,而且内有寄生PNPN晶闸管,该晶闸管在一定工作条件(特别是过流)下掣住,保持导通状态,使IGBT失去自关断能力,这些缺点在一定程度上妨碍了IGBT的推广应用。近两年来。

摘要：论述了1000A,2500V大功率逆阻型可关断晶闸管(GTO)的基本设计原则,给出了主要工艺特征和元件的开关特性.采用改进的扩散工艺、掺氯氧化(TCE)和高能电子幅照技术,使逆阻型GTO的p基区杂质分布和n基区少子寿命达到了最佳化,从而获得了具有优良开关特性的GTO元件.

摘要：通过对负斜角造型晶闸管结构特性及正向阻断状态的细致分析，提出了一维体内多结电流增益及雪崩倍增共同作用，终端区仅考虑单结雪崩倍增作用的不同击穿模式。经数值计算表明，在长基区宽度优化控制时，负角终端击穿模式所决定的击穿电压可高于体内击穿模式所决定的击穿电压，正反向击穿皆起始于体内，从而脱离了表面所强加的限制，取消了正反向耐压的不对称性，去掉了多余的长基区。在这样的理论设计下制造出性能参数可控且高度协调，并可与国际标准接轨的晶闸管．

摘要：简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺。对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性、开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实际工艺对ＩＧＢＴ的版图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料。成功地制作了１０Ａ／８００Ｖ、２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片。

摘要：基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。

摘要：介绍了直径１００ｍｍ、耐压５５００Ｖ硅晶闸管设计方面的几个重要问题。文章指出，采用阶梯式扩散杂质分布对高压晶闸管是适宜的；并对过去的短路孔直径、间距的计算公式提出了修正。实践表明，大面积、高压晶闸管的门阴极图形结构设计是十分重要的。

摘要：采用计算机辅助设计技术，优化设计了高频ＩＧＢＴ模块的内部结构；利用紧密的布局减小了分布电感；通过ＩＧＢＴ芯片的对称定位和连接路线的最佳选择，使分布电感量相等。同时，亦合理地设计了ＩＧＢＴ模块的内部结构件，改进了ＩＧＢＴ模块的封装工艺。

摘要：本文讨论了MOS栅极器件的驱动技术，介绍了美国IR公司基于自举法设计的专有功率集成芯片IRZ110的基本功能及应用特点。设计了一种厚膜驱动电路，除与IR2110的基本功能相同以外，还具有简单、经济、实用的特点。