摘要：IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面MOS结构进行优化设计,结果表明,为了获得最大的通流能力,首先要对MOS的栅宽和栅的间距做最佳匹配,其次是对BJT分量中的P+阱宽度做出合理设计,以期获得较高的抗闩锁能力。

摘要：二极管热循环测试,热循环测试是二极管器件考核的最重要的指标之一。以往的二极管热循环设备并没有引入电脑控制,导致在测试的过程中需要人为更换失效器件并且无法记录测试过程数据。本文针对以上问题设计了基于labview控制的新型热循环测试系统。

摘要：IGBT即绝缘栅双极型晶体管业已得到广泛的应用,高压大电流是其未来的发展方向,近年来已经应用在高压直流输电领域。随着功率容量的不断提升,对器件的设计制造提出了更高的要求。为了缩短设计周期,提高成品率,降低制造成本,应采用计算机进行仿真,可极大地提高工作效率。论文结合流片的情况应用ISE软件进行了仿真研究,结果表明,采用软件仿真的方法能够有效地指导器件的生产制造。

摘要：提出了一种基于组合集成思想的电力电子系统集成方案;设计了基于铝基板的功率集成模块,对它的散热性能进行了分析;根据电路的等效振荡电路,计算了电路的寄生电感,并与传统的结构进行了对比,给出了对比实验结果。

摘要：对6kV, 2.5kW 高压变频器的散热系统进行了研究和设计。提出采用强迫风冷解决变频器的散热问题。在计算出系统各个功率器件发热量的基础上,根据发热量与温升之间的关系,计算出各功率开关器件所需散热器的热阻,选择了合适的散热器,并根据整个系统的发热量和散热器对气流的要求,对风机的选型以及风道的设计进行了探讨,设计了一种前进风后出风,每个散热器都与风腔独立密封连接的抽风方案。试验结果表明,该散热系统能满足运行要求。

摘要：本文详细分析了光控晶闸管设计原理。通过对特殊的门极结构和工艺设计,成功研制了在器件内部集成了光触发功能区、内部过压保护器、内置保护电阻,使其具有正向恢复保护和dv/dt保护功能的5英寸3125A/7600V光控晶闸管。该晶闸管技术参数达到了国外同等水平。已成功应用到我国的"云-广±800KV/5000MW"特高压直流输电(UHVDC)工程中。

摘要：结合多年从事整流型大电流直流电源研究、设计和制造及调试的体会和总结,详细分析了我国整流型大电流直流电源发展和能耗的历史、现状,探讨了其发展趋势,并给出了降低能耗的建议和防火安全要求。

摘要：特高压晶闸管半导体芯片主要通过掺杂技术形成。高均匀性、高寿命掺杂技术是获得高品质特高压晶闸管的根本保证。本文通过一系列大胆的创新方法和先进"6σ设计[1]"的控制措施,成功研制了世界上首只6英寸4000A/8000V特高压晶闸管,并成功应用于"向家坝-上海±800KV/6400MW"特高压直流输电示范工程中。

摘要：本文针对PIN型整流管模型,全面优化了整流管设计制造过程,成功研制了世界上先进的ZP6000A/8500V特高压整流管。

摘要：介绍了一种直流电阻炉加热电源的设计方案及工业改造实例,并已成功应用于工业使用现场。