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检索条件"机构=西安电子科大物理系"

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光学元件表面微结构的局域场分布特性研究: 收藏
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引用; 《光学技术》2005年第1期31卷 24-25,31页; 作者：柴立群葛德彪许乔朱湘琴成都精密光学工程研究中心成都610041 西安电子科大物理系西安710071; 在强激光系统中光学元件表面的微结构会引起局域场强增强,进而会影响元件抗激光损伤能力。采用时域有限差分方法对波长量级的表面微结构进行了电磁场分布的数值模拟,一方面为损伤模型的建立奠定了基础,另一方面也为光学元件的设计制作...; 在强激光系统中光学元件表面的微结构会引起局域场强增强,进而会影响元件抗激光损伤能力。采用时域有限差分方法对波长量级的表面微结构进行了电磁场分布的数值模拟,一方面为损伤模型的建立奠定了基础,另一方面也为光学元件的设计制作提供了理论指导。; 来源：详细信息评论

尖锥阴极场致发射的稳定性研究: 收藏
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引用; 《电子科技》1998年第1期11卷 44-47页; 作者：李德昌肖向春朱长纯西安电子科大物理系; 场致发射阵列（ＦＥＡ）平板显示器的实现，标志着ＦＥＡ发展到新的阶段，对ＦＥＡ的研究也提出了新的要求。场致发射的实验研究是目前推进ＦＥＡ技术的一种重要手段。文中主要从ＦＥＡ场致发射的过程观察和分析发射失稳现象，并从理论...; 场致发射阵列（ＦＥＡ）平板显示器的实现，标志着ＦＥＡ发展到新的阶段，对ＦＥＡ的研究也提出了新的要求。场致发射的实验研究是目前推进ＦＥＡ技术的一种重要手段。文中主要从ＦＥＡ场致发射的过程观察和分析发射失稳现象，并从理论上加以探讨研究。结果表明，ＦＥＡ中发射不均匀是普遍的，设计中采取均流均温措施是必要的；ＦＥＡ使用前的老化钝化是必不可少的工艺手段；场致发射常常伴随着热发射，对热发射的控制和利用是场致发射研究的重要内容。; 来源：详细信息评论

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