文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

检索条件"机构=西安电子科技大学宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室"

共 2 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

视图：

排序：

碳化硅CMOS倒相器温度特性: 收藏
分享
引用; 《西安电子科技大学学报》2005年第3期32卷 396-399页; 作者：王平杨银堂王旭西安电子科技大学宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室陕西西安710071; 建立了6H SiC材料和器件模型,应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H SiC CMOS倒相器的温度特性进行了研究.研究结果表明,该倒相器在600K的高温下仍可以正常工作,且具有良好的电压转移特性和瞬态特性;在300～600K的温度范围内,...; 建立了6H SiC材料和器件模型,应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H SiC CMOS倒相器的温度特性进行了研究.研究结果表明,该倒相器在600K的高温下仍可以正常工作,且具有良好的电压转移特性和瞬态特性;在300～600K的温度范围内,倒相器阈值电压由1.218V变化到1.274V,变化幅度较小.; 来源：详细信息评论

一种6位超高速CMOS FLASH A/D转换器: 收藏
分享
引用; 《微计算机信息》2008年第26期24卷 277-279页; 作者：朱文举陈杉杨银堂朱樟明杨凌西安电子科技大学微电子研究所 710071西安宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室; 介绍了一种超高速六位快闪式CMOS A/D转换器的设计。该转换器采用0.18?m CMOS工艺。本转换器的特点是采用了一种被称之为基于反相器的阈值电压的比较器(TIQ)阵列来替代传统Flash结构中的电阻分压网络部分。仿真结果显示,在1.6GSPS的速度...; 介绍了一种超高速六位快闪式CMOS A/D转换器的设计。该转换器采用0.18?m CMOS工艺。本转换器的特点是采用了一种被称之为基于反相器的阈值电压的比较器(TIQ)阵列来替代传统Flash结构中的电阻分压网络部分。仿真结果显示,在1.6GSPS的速度和1.8V的工作电压下,其功耗仅为39.20mW。; 来源：详细信息评论

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共1页<< <1> >>

聚类工具回到顶部