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检索条件"机构=西安电子科技大学微电子学院 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室"
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背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响
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《物理学报》2009年 第5期58卷 3409-3415页
作者：张进成 郑鹏天 董作典 段焕涛 倪金玉 张金凤 郝跃西安电子科技大学微电子学院 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了...
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