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低脉冲重复频率合成孔径激光雷达成像
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《光电子.激光》2011年 第5期22卷 772-777页
作者:郭亮 曾晓东 邢孟道 唐禹西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 西安电子科技大学雷达信号处理国家重点实验室陕西西安710071 
为提高合成孔径激光雷达(SAL)的分辨率,从激光脉冲调制与脉冲重复频率(PRF)的矛盾入手,提出了一种沿方位向放置多个望远镜接收的系统设计方法,利用空间自由度解决由于较低PRF带来的方位模糊问题。分析了SAL系统由于平台连续运动的影响(...
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无参考图像质量评价的视觉测量照明
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《北京工业大学学报》2012年 第12期38卷 1875-1879页
作者:王会峰 武奇生 巨永锋 王炳健长安大学电子与控制工程学院西安710064 西安电子科技大学技术物理学院西安710071 
为提高视觉测量系统的图像质量,通过分析成像器件和照明光源的光谱匹配特性及照明光源的光谱-色差特性,研究了照明系统的光谱对图像质量的影响;引入对比度信噪比(constrast signal noise ratio,CSNR)和灰度清晰度Tenengrad函数的无参考...
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基于多尺度区域混色的RGB欠采样图像颜色错误评价
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电子与信息学报》2012年 第9期34卷 2071-2077页
作者:赵小明 邵晓鹏 张建奇 周筱媛西安电子科技大学技术物理学院西安710071 西安科技大学计算机科学与技术学院西安710054 
针对彩色阵列显示设备中由于采用亚像素寻址技术引起的颜色错误问题,该文提出了一种定位和量化的方法。基于人眼空间混色特性,指出颜色误差的度量应在多尺度混色区域下进行。以亚像素矩型排布为例,从点阵理论的结构基元出发,设计多尺度...
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一种与显示设备相关的抗颜色混叠新方法
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电子与信息学报》2014年 第3期36卷 721-727页
作者:赵小明 赵园美 周筱媛 袁胜春西安电子科技大学技术物理学院西安710071 西安科技大学计算机科学与技术学院西安710054 
针对显示系统中应用亚像素采样技术引起的颜色混叠问题,该文提出一种基于显示设备亚像素排布的抗颜色混叠滤波方法。鉴于颜色混叠的区域及形状与亚像素排布的多样性紧密相关,在频域内通过倒晶格理论给出不同亚像素排布各基色的Nyquist...
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一种新的激光方位探测系统设计
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《激光技术2005年 第5期29卷 538-540页
作者:程玉宝 李庆 刘上乾西安电子科技大学技术物理学院 
通过对平行激光在光学劈尖上产生等厚干涉条纹的分析,提出了一种新的激光方位探测方案。介绍了本方案的数学建模原理,给出了其实现系统,它由6个光学劈尖构成的激光方位探测光学窗口和探测电路组成,通过测量光学劈尖上干涉条纹的间距精...
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红外凝视成像系统弱点目标检测的实时实现
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《半导体光电》2009年 第3期30卷 451-454页
作者:汪大宝 刘上乾 王会峰 张峰西安电子科技大学技术物理学院西安710071 
为了解决红外点目标检测算法的复杂性与系统实时性之间的矛盾,设计了一套基于DSP的实时处理硬件实施方案。首先,介绍了基于高性能DSP的实时处理系统的原理结构,在此基础上,从硬件和软件两方面提出了系统实时实现的关键技术,包括大容量...
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LTE系统中可配置FFT/IFFT的设计与实现
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西安电子科技大学学报》2010年 第5期37卷 813-816,824页
作者:刘德福 雷天民 马卓 李颖 王旸西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 西安电子科技大学综合业务网理论及关键技术国家重点实验室陕西西安710071 
针对3GPP长期演进(LTE)系统中载波数目可变以及存在非2n点的特点,提出了一种点数可变、支持非2n点的快速傅里叶变换/逆变换(FFT/IFFT)设计方案.通过采用流水线乒乓结构,利用基2、基3、基4混合基结构实现了高速可配置的FFT/IFFT.将旋转...
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用于激光雷达的相干合成光束研究
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物理学报》2011年 第12期60卷 250-258页
作者:连天虹 王石语 过振 李兵斌 蔡德芳 文建国西安电子科技大学技术物理学院西安710071 
提高激光雷达对空间小目标探测能力的重要手段是增大发射到目标上的光强,激光相干合成是在目标上获得较大光强的有效途径.为了评价相干光束在目标上的合成效果,引入了适合空间小目标探测的相干合成效果评价参数(合成效果因子),在此基础...
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实用激光水下目标探测系统的设计分析
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《激光与红外》2001年 第2期31卷 93-95页
作者:章正宇 周寿桓西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 华北光电技术研究所北京100015 
通过对搜索、测距、成像技术的分析 ,提出了一种较实用的激光水下目标探测系统模型以及工作时序 ,该系统机械结构相对紧凑 ,功能比较完善 ,充分发挥了激光探测的快速、准确、清晰。
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金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/f~γ噪声相关性研究
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物理学报》2008年 第4期57卷 2468-2475页
作者:刘宇安 杜磊 包军林井冈山学院数理学院吉安343009 西安电子科技大学技术物理学院西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 
研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器...
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