摘要：以硅平面工艺生产设备为基础，设计制作了基于外延衬底的IGBT器件，器件的实测输出电流-电压特性良好，阈值电压在3．7～4．8V之间．将制作IGBT器件的结构和工艺参数代入PIN二极管模型计算其正向导通压降，并将计算结果与器件的实测参数进行了比较．结果表明：小电流区段符合较好；但大电流区段由于模型简化和测试系统寄生串联电阻的影响出现偏差，对于同一导通电流，计算值比实测值约小8％．

摘要：设计了简易的压强可控自组装实验装置,制备了由直径为260nm的聚苯乙烯(PS)胶体球组成的面心立方光子晶体。分析了压强的变化对光子禁带(PBG)深度及光子带隙边缘(PBE)坡度的影响,确定了合适的压强生长环境(P=5999.5Pa)。利用该实验装置,还进行了光子晶体的小批量制备,一次性制得了三块光子晶体,并从不同角度对每一块光子晶体的透射谱及不同光子晶体的透射谱进行了测量。同一光子晶体不同位置透射谱的重合、同一批次制备的不同光子晶体透射谱的一致性及光子禁带两侧的Fabry-Prot振荡等均说明:该装置制备的光子晶体在大区域、大面积上是高度有序、均一和平整的;利用该实验装置进行光子晶体的小批量制备是可行的。

摘要：基于侧墙自对准和金属硅化物等VLSI先进工艺实现全自对准的多晶硅反刻及栅源金属连接,并用氮化锆(ZrN)代替二氧化硅做硬掩模,由于氮化锆(ZrN)膜更薄使膜应力更小,设计出用两张掩模版制作trench绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工艺流程,给出了初步的实验结果。该设计减少了IGBT制作的工艺步骤,降低了器件制作成本,同时缩小了元包尺寸,增加了trench结构的元包密度和单位芯片面积的沟道宽度。

摘要：在PbMoO4声光器件的换能器与电源之间插入阻抗匹配网络,对换能器的声能传输损耗有一定的补偿作用。给出了阻抗匹配后换能器损耗的计算公式、匹配电路结构和元件值、能量损耗与频率的关系曲线图,得出合适的阻抗匹配网络可使得PbMoO4声光器件换能器的声能传输损耗降低,3 dB频带宽度增大的结论。利用阻抗匹配网络的这一优点,优化设计了PbMoO4声光器件换能器的结构。

摘要：TeO2晶体作为声光性能优越的材料之一,在设计过程中由于阻抗不能完全匹配及声波在不同声学阻抗的弹性体间传播时,分界面处会发生反射和透射,导致损耗在中间频率处过大,频率特性不稳定;分析TeO2压电换能器的阻抗特性呈容性电抗,所以采用感性的电感器件对其进行外部补偿,可提高换能器的性能。

摘要：设计了一种简化的铝栅MOS半导体器件制作工艺流程,用6张掩模版成功制作出了基于表面电场效应原理的生物检测硅芯片传感器,采用SiO2-Si3N4复合栅介质层及耗尽型器件结构,以增强器件的识别与检测灵敏度。该传感器与常规铝栅MOS晶体管相比,去除了介质层表面的栅极导电层,代之以自组装技术制作生物薄膜并辅以栅参考电极作为控制栅极。用所制作的硅芯片传感器检测了相关生物蛋白质的电流响应,给出了该电流响应与器件沟道长度和沟道电阻及生物蛋白浓度等参数的关系,得到了较为满意的检测数据,达到了预期的基于表面电场效应的硅传感器制作和生物检测的目的。

摘要：为了屏蔽紫外线,提出光子禁带型遮阳品,分别用传输矩阵、时域有限差分法计算紫外线在1维、2维光子禁带型遮阳品中的透射率。结果表明,选取合适的参量,可以设计紫外线的1维、2维光子禁带遮阳品;入射角对1维、2维遮阳品的禁带波长下限都有较大影响。

摘要：文章分析了电子信息工程专业单片机原理与接口技术课程教学的现状,认为提高设计性实验开设的质量是教学改革的重点,指出设计性实验开设中要注意理论与实验的衔接、验证性实验与设计性实验的衔接、课堂与课外的衔接,并不断完善适合设计性实验的评价体系,提高人才培养的质量。

摘要：文章在介绍某数字电压表设计要求的基础上,详细讨论了系统设计方案的选取,并重点介绍了基于AT89C52和AD574的硬件和软件方案的设计,给出了采样周期自适应调整、量程自动切换、叠加信号的周期检测以及平均值与有效值的计算等一些关键算法的实现。

摘要：针对基于FPGA的DSP技术,论文提出了一种基于DspBuilder的DDS模块化设计方案,由设计出的基本DDS模块产生了2PSK、2FSK信号,仿真结果显示该DDS频率及相位可灵活调整,具有较高的频率分辨率,能够实现频率及相位的快速切换。