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一种低功耗全CMOS电压基准电路的设计: 收藏
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引用; 《科技信息》2009年第7期 107-107,132页; 作者：李书艳马建军高明明罗志勇辽宁工程技术大学电子与信息工程学院辽宁葫芦岛125105 辽宁锦州华光电力电子集团公司高可靠产品研究所辽宁锦州121001; 提出一种低功耗全CMOS电压基准电路,它是根据NMOS载流子迁移率与阈值电压互补的温度效应原理产生的电压基准。采用0.5μmn阱硅栅工艺模型,通过Hspice软件对电路进行了仿真,在-20～+100℃温度范围内温度系数为33ppm/℃,电路工作在3～5V...; 提出一种低功耗全CMOS电压基准电路,它是根据NMOS载流子迁移率与阈值电压互补的温度效应原理产生的电压基准。采用0.5μmn阱硅栅工艺模型,通过Hspice软件对电路进行了仿真,在-20～+100℃温度范围内温度系数为33ppm/℃,电路工作在3～5V电压下,静态功耗仅为10.5μA。; 来源：详细信息评论

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