摘要：陷光是改善薄膜太阳电池光吸收进而提高其效率的关键技术之一.以非晶硅(α-Si)薄膜太阳电池为例,设计了一种新的复合陷光结构:在Ag背电极与硅薄膜之间制备一维Ag纳米光栅,并通过保形生长在电池前表面沉积织构的减反膜.采用有限元数值模拟方法,研究了该复合陷光结构对电池光吸收的影响,并对Ag纳米光栅的结构参数进行了优化.模拟结果表明:该复合陷光结构可在宽光谱范围内较大地提高太阳电池的光吸收;当Ag纳米光栅的周期P为600 nm,高度H为90 nm,宽度W为180 nm时,在AM1.5光谱垂直入射条件下α-Si薄膜电池在300—800 nm波长范围内总的光吸收较无陷光结构的参考电池提高达103%,其中在650—750 nm长波范围内的光子吸收率提高达300%以上.结合电场强度分布,对电池在各个波段光吸收提高的物理机制进行了分析.另外,该复合陷光结构的引入,还较大地改善了非晶硅电池对太阳光入射角度的敏感性.

摘要：本文利用电磁场数值计算方法研究了横截面具有不同长宽比例的电介质柱的电磁共振模式,发现横截面长宽比例影响电介质柱共振模式的激发顺序.截面长宽比小于2.2时,首先激发磁共振模式;而长宽比大于2.2时,磁共振模式在第二个共振被激发;作为转折点,截面长宽比例约为2.2的电介质柱不能激发磁共振模式.结果还表明改变电磁波入射方向可以调节长方形截面的电介质柱的磁共振发生的频率位置,实现偏振可控的电磁响应,这为新颖的电介质电磁超介质的设计与研究提供有价值的信息.

摘要：以MgO-Al_2O_3-Y_2O_3体系作为烧结助剂,研究添加剂含量对无压烧结氮化硅陶瓷致密化的影响。对MgO、Al_2O_3、Y_2O_3三元添加剂进行单纯形格子设计及回归分析。结果表明,复合添加剂的比例对样品致密化及显微结构有着显著的影响。MgO、Al_2O_3和Y_2O_3按一优化比例引入到氮化硅陶瓷时可实现最大致密化速率,同时氮化硅大都呈现长柱状β-Si_3N_4晶粒,具有较大的长径比,显微结构均匀。

摘要：保持150℃的衬底温度不变,通过调节氧氩比(OFR=[O2]/[Ar]),利用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了一系列氧化银薄膜。利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜和分光光度计重点研究了薄膜的微结构对其反射率和透射率的影响。研究表明随着OFR的升高,氧化银薄膜呈现了从Ag+Ag2O多晶结构到Ag2O多晶结构的演变。薄膜的表面相应地呈现了从疏松的多孔结构到类金字塔结构的演变。较高的Ag2O含量和致密的表面形貌有利于薄膜可见和红外区的透光性,而较高的银含量和疏松的多孔结构则造成对光的强烈吸收,急剧地降低了薄膜的透射率和反射率。特别是在OFR为0.5条件下成功制备了具有(111)择优取向的Ag2O多晶薄膜,有效地将氧化银热分解的临界温度降低到200℃左右。

摘要：本文介绍了一种商用的表面增强拉曼芯片(Klarite),并对其表面形貌、拉曼活性进行了表征和测试分析。Klarite芯片由于独特的倒金字塔形设计使得其具有较好的拉曼活性、稳定性和重现性,为生命科学和分析化学研究提供了有力的研究工具。此外,我们对Klarite芯片在外电磁场作用下的表面电场分布进行了模拟,发现一个结构单元中存在多个"热点"区域,并且最大电磁场的增强随着倒置金字塔的高度h改变而变化,当h为600nm时,电磁场增强达到最大,约为25倍。

摘要：电磁诱导透明是在介质中由不同的入射光诱导产生的量子干涉效应。它以其独特的物理现象,在量子通信和非线性光学应用中具有重要的地位。近年来,人工超材料发展十分迅速,并成为等离子体学领域的一个研究热点。超材料可以很好地调控其物理结构和特性,而且降低了对电磁诱导透明实验条件的要求,模拟出类似于电磁诱导透明的现象即等离激元诱导透明。本文介绍等离激元诱导透明的工作原理,总结实现等离激元诱导透明的几种结构,以及等离激元诱导透明的研究现状,为微型传感器的应用以及等离激元诱导透明结构的设计提供依据。

摘要：利用化学汽相沉积，在没有催化剂的p-si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列，构成ZnO阵列／p-Si异质结．电流-电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性，漏电流较小，4V时约为0．05mA．异质结理想因子偏高，1．86（0．5-2．25V）和5．92（在2．25-2．7V），主要原因可能ZnO纳米线阵列底与si之间存在较高的缺陷密度．提供了一种简单的合成ZnO阵列／p-Si异质结方法，不需要在si衬底上预先合成ZnO缓冲层和催化剂，同时结构具有较好整流性能，对ZnO器件的设计合成及应用有一定的参考价值．

摘要：本文采用固相烧结法制备了ZrV2-xPxO7(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)系列材料.粉末X射线衍射(XRD)分析表明,所制备材料的结构为单一立方相.应用变温拉曼光谱研究该材料相变,变温拉曼光谱研究结果表明,材料起始相变温度随着P5+替代V5+量的增加逐渐降低,x=0,0.4,0.8,1对应的相变温度分别为383K,363K,273K,213K.热膨胀测试结果表明:随着P替代量的增加正—负膨胀转变温度先降低后增加,x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1对应的正—负膨胀转变温度分别为429K,403K,372K,390K,398K和435K.本文指出了该系列材料存在两个相变过程,为设计和制备ZrV2O7基室温附近的负热膨胀材料奠定了良好的基础.

摘要：通过两因素三水平的正交设计实验和极端顶点的混料设计实验,研究了不同含量的Ti,B,RE对细晶铝锭的联合细化效果;并根据正交设计实验的方差分析和混料设计实验非线性方程的最小二乘法求解,寻求Ti,B,RE联合细化的最优工艺。结果表明:正交设计和混料设计得到的最优工艺基本一致,即Ti=0.01%,B=0.001%,RE=0.1%,Ti/B=10/1,Ti/RE=1/10,且Ti/B对细化效果影响显著,而Ti/RE的影响次之。为了验证最优组合的细化效果,将0.01%Ti+0.1%RE+0.001%B的细晶铝锭、0.01%Ti的细晶铝锭、0.01%Ti+0.3%RE的细晶铝锭和0.01%Ti的A l-5Ti-1B分别细化6063铝合金,发现0.01%Ti+0.1%RE+0.001%B的细晶铝锭的细化效果最好。

摘要：利用微波等离子化学气相沉积法,制备出类球状微米金刚石聚晶薄膜作为场发射阴极材料。通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺,从器件封装、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了探索和创新,实现了场致发射荧光管的高真空封装。综合采用这套技术,已经研发出的真空场致发射荧光管,在5.45V/μm电场下,光的亮度达到了11 000cd/m2。为将来设计制作矩阵寻址场发射平板显示器件奠定了基础。