摘要：针对像素电极与公共电极换位(P-ITO and C-ITO Interchanged,PCI)结构薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)产品中出现的一种竖Mura,结合生产工艺的实际情况,本文运用关键尺寸(Critical Dimension,CD)、EPM(Electrical Properties Measurement)、SEM(Scanning Electron Microscope,扫描电子显微镜)等检测设备,进行了大量的实验测试、数据处理和理论分析工作。通过测量Cell Gap、膜厚、CD、Overlay等特性参数,进行产品设计对比、光效模拟和Lens恶化实验,发现该不良与PCI结构的特殊性有关。其产生的根本原因是不良区域内两层ITO之间左右非交叠区域CD差异造成电场分布异常导致液晶偏转角度异常,最终导致屏幕亮暗不均。通过改变ITO对位方式提高两层ITO之间左右非交叠区域的均一性,有效地降低了不良的发生率(从26%下降到0.1%以内)。

摘要：目前,薄膜晶体管型液晶显示器(Thin-Film Technology Liquid Crystal Display,TFT-LCD)已成为显示领域的主流产品,而液晶面板是TFT-LCD的一个重要组成部分。LCD边缘漏光会导致画面失真,影响可视效果,造成画面显示品质下降、良率降低,因此改善边缘漏光成为急待解决的问题。本文研究了液晶与PI膜层取向异常对边角漏光的影响、LC Pattern设计对边角漏光的影响、Si-Ball型号对边角漏光的影响等,结果证明LC Pattern设计对边角漏光具有较好的改善效果,Pattern拉伸可改善边角漏光但更易造成液晶穿刺现象,小滴优化不仅能改善边角漏光而且也能防止液晶穿刺。另外小型Si-Ball对边角漏光改善效果最优,同时从信赖性验证等方面可以排除较小Si-Ball,限定出Si-Ball选择范围。

摘要：针对低温煤焦油中酚类化合物萃取分离的工艺设计和优化所需基础数据的缺失,以环丁砜为萃取剂,分别测定了101.3 kPa下323.15和343.15 K时正庚烷+苯酚/邻甲酚+环丁砜三元体系液液相平衡(LLE)数据和323.15 K时正庚烷+甲苯+苯酚/邻甲酚+环丁砜四元体系的LLE数据,并将结果绘制在三元相图中。利用Bachman方程和Hand方程对实验数据进行了可靠性检验,相关系数R2大于0.98,表明实验数据可靠性较好。采用NRTL模型和UNIQUAC模型对实验数据进行关联,并对二元交互作用参数进行回归。2种模型的均方根偏差均小于1%。结果表明二者均能成功地对LLE实验数据进行关联,相应的二元交互作用参数可用于分离工艺的设计和优化。

摘要：锂离子电池材料技术发展缓慢,导致商用化锂离子电池能量密度的提升难度较大。移动互联网时代的到来,使得智能终端设备的外形向超薄、超轻的便携式发展,为智能终端电池容量和设备续航带来了挑战。为了研究移动智能设备的续航能力,针对智能终端设备所广泛采用的锂离子电池技术,分析了锂离子电池中各个部分的技术情况;通过对智能手机设备的功耗分布和各硬件要素的技术迭代研究,分析了未来智能终端整机的功耗趋势和空间设计趋势。分析表明,智能终端设备显示屏的功耗占整机功耗的主要部分,采用像素渲染技术可以有效降低显示屏模组的逻辑功耗和背光功耗,同时整机印制电路板（PCB）上硬件元素的不断集成,PCB走线工艺能力越来越精细化为电池的体积留出更多的空间。智能终端产品中的多种硬件元素协同优化,可以有效实现可靠的续航能力。

摘要：随着人们对手机外观审美的提高,面板厂商为了适应市场需求以客户、市场为导向的经营方针决定了窄边框技术成为一种必然趋势。薄膜晶体管液晶显示器的窄边框研究过程不断冲击着TFT-LCD生产工艺能力和设计能力的极限。当然,任何极限都不能破坏产品应该保证的可靠性水平,进而引发出新技术的应用以同时满足产品品质和工艺设计能力。本文从Cell成盒工艺的局限性入手,重点说明如何从工艺和设计两个方面进行改善,工艺上主要从配向膜印刷、封框胶涂布、切割等工艺进行分析改善,设计上主要从CF BM层挖孔、TFT PLN层挖孔、TFT金属线挖孔等方面进行分析改善。

摘要：本文研究了TFT-LCD显示器制造工艺过程中边角发黄不良产生机理及其改善措施。通过对显微镜分析、PS高度、Cell Gap确认以及不良机理分析,得出在ODF工艺过程中液晶与未固化的封框胶接触时,边角位置处液晶快速扩散穿刺封框胶,同时由于区域性液晶填充过多造成发黄不良。本文从工艺上对LC Pattern及Dummy区域封框胶涂布工艺改善,从设计上对Dummy区域填充R/G/B胶进行改善,二者对边角发黄均具有显著的改善效果,边角发黄位置处的穿刺程度从改善前的58.6%降低到5.3%,从而有效的提高了该产品的良率。

摘要：通过对影响R角涂胶工艺的设备参数,Gap、移动速度,螺杆(Screw)转速、针头出胶加减速等多个参数的研究,提出了R角变胶宽工艺的实现方法。首先,通过对涂布过程进行分析,找到影响R角胶宽的关键参数,如Gap、移动速度、螺杆(Screw)转速、针头出胶加减速等多个参数的最优组合。然后对这些参数组合进行实验测试,找出各组最优参数的实际涂布效果和变化范围,最后根据产品设计需求,将参数模型导入到量产中,提升胶宽的稳定性,有效改善R角胶细所引起的不良问题,将滚筒测试和垂直跌落不良率降低90%。

摘要：随着人们对于电子设备的美观度要求不断提高,电子设备所采用的液晶显示器边框设计优先级也逐渐提高,越来越多的设计者开始申请窄边框设计专利。本文在对液晶显示技术进行研究中,对当前阶段专利申请领域关于液晶显示边框设计的技术手法进行了归类,并对窄边框专利申请趋势、申请人特征进行了综合分析,从中对当前电子技术环境中的液晶显示技术发展做出归纳。

摘要：目前,光学检查设备AOI已经成为TFT-LCD行业主要的微观缺陷检查设备,并大量应用到各工艺检查单元。随着全球面板产业竞争的加剧,产线和产品的智能化、高效化需求日渐剧增,但各个工序的检测设备维度往往不唯一,这为设备间数据的流通和统一造成障碍,为解决此类问题,该文基于JMP的数据预测和分析功能,对设备参数进行优化和重新设计,并对新参数进行ROC验证,验证结果达到预期。同时为Cell自动化监控和反馈机制的建立提供理论和数据支持。

摘要：通过对各项不良改善措施的验证,总结出包括画素设计、制程、材料等可以对边缘彩点Mura进行有效改善的措施。将边缘彩点Mura不良发生率由35%降低到0,有效的提高了产品的良率。