摘要：由于CCD摄像机具有灵敏度高、体积小等特点,其应用领域日益广泛。介绍了一种可见光CCD摄像机的设计,就如何保证高灵敏度和降低噪声进行了探讨。

摘要：采用2μm的设计规则,在硅工艺线上,成功设计和制作了128×128PtSi高速逐行扫描CCD器件。介绍了器件的结构、制作工艺和参数测试结果。

摘要：设计了一种极坐标二维位敏光电探测器,它采用一维位敏光电探测器测量原理测量光点的二维参数,经处理后得到光点的二维极坐标。该器件采用一种特殊的平面曲线形式的光敏面结构,可以广泛地应用于军事及民用领域中。

摘要：介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则，两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为30um×30μm。器件采用品字形排列，占空比为100％。1024位探测器存储的电荷分两路CCD到同一个浮置扩散放大器上输出。器件在80K温度下工作。在积分时间为4毫秒及镜头为F／1条件下，器件噪声等效温差为0．1K。用1000K黑体测得探测率D^*为9．8×10^*cm·Hz^1/2。·W^-1。器件响应不均匀性为4．8％。介绍器件设计及性能测试结果。

摘要：介绍了一种多功能数字可见光CCD相机的整体设计过程,并给出了原理框图,详细说明了相机的外同步、电子快门、自动增益、疵点探测和补偿,以及伽玛校正等功能。

摘要：对液相外延温控系统和真空系统进行了全新的设计,温控系统运用单相可控硅过零触发技术,解决了移相触发技术中使系统电压畸变,功率因数下降的问题。并配以日本神港程序控制器,使得温度精度达到±0.1℃,且重复性和稳定性也相应地得到提高。真空系统加入了冲洗气体保护装置,有效地解决了以往冷阱变暖使油蒸汽反流的问题。

摘要：研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40％。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。

摘要：　设计并制作了一种用于中低精度光纤陀螺系统的850nm超辐射发光二极管,对器件的波导模式进行了分析,给出了主要技术参数的设计和测试结果。实验结果表明,器件的波长为852.8nm,光谱半宽为26nm,100mA工作电流下,管芯输出功率大于4.5mW,保偏光纤输出功率大于200μW。

摘要：给出了 CMOS 64×64 焦平面高帧频摄像机的电路框图,叙述了摄像机的工作原理。详细地叙述了焦平面、探测器响应度、信号读出电路的设计以及摄像机的可靠性设计,并给出了焦平面的工作时序图。

摘要：研制了4 096×96元TDI(时间延迟积分)CCD成像系统。阐明了系统的设计原则及使用TDI CCD器件应掌握的主要技术。详细地叙述了旋转速度的计算方法、光学镜头的主要技术指标、TDI CCD器件的工作时序波形,给出了4 096×96元TDI CCD可见光成像器件四抽头的图像合成图片。