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检索条件"机构=重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室"
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磁流变阻尼器磁路设计与性能的相关性研究
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《仪器仪表学报》2004年 第Z3期25卷 546-550页
作者:张红辉 廖昌荣 陈伟民重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室重庆400044 
通过对磁流变阻尼器的电磁学数值模拟,研究了磁路设计与磁流变阻尼器性能的相关性。磁流变阻尼器的台架试验结果表明,数值模拟结果与试验数据吻合良好,并据此提出通过数值模拟指导阻尼器磁路结构改进的方法。
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拉索索力远程实时测量技术研究
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《仪器仪表学报》2004年 第Z3期25卷 53-55页
作者:刘碧慧民 宁昕民 符欲梅民 陈伟民重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室重庆400044 
介绍了频率法测定拉索索力的原理,完成了硬件和软件设计。工程实际应用表明:频率法测定索力结果可靠,简便实用。
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基于虚拟仪器的原油管道泄漏实时监测与定位系统
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《传感器与微系统2012年 第1期31卷 111-113,116页
作者:王政 付红桥 付少华 丁业平 吴翰钟重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室重庆400030 
原油管道泄漏不仅给国民经济造成巨大的损失,而且会导致环境的污染,解决管道泄漏问题显得异常重要。设计了一种针对原油管道的实时监控系统,该系统通过采集输油管道两端的温度、压力和流量等信号,借助石油公司内的局域网络完成数据的...
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一种新型磁电自供电无线传感器供能电路研究
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《传感器与微系统2010年 第3期29卷 55-58页
作者:贾朝波 李平 文玉梅 李兴圣重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室重庆400044 
采用矩形杆式磁电复合换能器的双发电单元作为主发电源和辅助发电源,设计了一种电能瞬间放电电路。该电路能够将换能器主发电源采集的能量存储并瞬间释放,提高储能电容的输出功率,而辅助发电源则用来驱动管理电路控制放电电路工作。实...
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基于M-Z干涉仪的正交信号处理法波长解调系统
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《光子学报》2010年 第S1期39卷 67-71页
作者:金钟燮 崔海军重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室重庆400030 
设计并制作了全光纤非平衡马赫-曾德干涉仪,并分析了几种典型的波长解调技术.采取了一种新的正交信号获取方法,并通过相位补偿实现了对波长偏移量的测量.波长变化引起的相位信息可以通过数字反正切函数和相位展开来提取.与传统的正交采...
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基于正交试验的光纤传感器金属化连接工艺优化
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《传感器与微系统2012年 第4期31卷 10-13页
作者:刘浩 陈伟民 章鹏 吴俊 刘立重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室重庆400044 
为了克服光纤传感器有机胶封装带来的可靠性差、应变传递效率低的问题,采用粒子扩散系统对光纤传感器进行金属化连接以实现光纤传感器的无胶封装;为提高金属粘接层与基体的结合强度,设计了以工作距离、驱动电压、进给速度、粒子场气压...
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自由曲面光学系统设计中目标面照度分布的优化
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《照明工程学报》2011年 第6期22卷 82-87页
作者:赖伟 陈伟民 刘显明 雷小华 胡顺仁 杜晓晴 王福权重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室光电工程学院重庆400044 
以驾驶员视觉光环境需求为约束、以灯具总光通量最小为目标,建立了LED路灯自由曲面光学设计时所需的道路路面照度分布优化模型,利用Lingo软件得到了次干路最佳照度分布,相比与基于均匀照度分布设计的LED路灯节能30%左右。
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单片机控制OLED显示全彩色静态图片和动态图像的系统设计
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《液晶与显示》2006年 第1期21卷 67-72页
作者:赵晶 李平 王丹重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室重庆400030 
根据有机发光二极管器件(OLED)的特性,利用单片机C8051F020和驱动芯片SSD1332,设计OLED的控制显示电路。从组成框图、硬件设计以软件流程等几方面介绍了该OLED的驱动电路,给出了硬件接口电路图。利用该电路系统可以实现全彩色静态图...
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单出杆磁流变阻尼器特性影响因素其附加刚度研究
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《机械设计与研究》2011年 第6期27卷 37-39,43页
作者:徐海鹏 张红辉 余昭重庆大学光电工程学院重庆400030 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室重庆400030 
单出杆结构磁流变阻尼器因其阻尼力可控、结构简单等特点,成为结构半主动振动抑制应用研究的热点。由于补偿物理建模的复杂性,现有研究中一般未考虑附加刚度问题,仅有个别开展了相关试验研究。以浮动活塞-气补偿单出杆磁流变阻尼器为...
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不同结构nMOS管的总剂量辐射效应
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《半导体技术2014年 第11期39卷 861-866页
作者:闫旭亮 孟丽娅 袁祥辉 黄友恕 吕果林重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室重庆400044 
X射线直接成像的CMOS图像传感器由于工作在X射线辐射下,其内器件会因为辐射效应引起性能恶化,因此需要对器件进行抗辐射加固并研究辐射对器件参数的影响。辐射导致的氧化物陷阱电荷界面陷阱电荷受到栅氧厚度、偏置电压大小、辐射总...
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