摘要：通过提出一种光栅光调制器的有源矩阵的驱动方式,分析了有源矩阵光栅光调制器的工作机理和关键指标参数。并且分析指出增大有源矩阵的存储电容值,可以减小由电荷重新分布造成存储电压的降低。有源矩阵的晶体管宽长比和存储电容,影响有源矩阵的保持电压特性和开关速度。结合实际的工艺设计包,利用Cadence软件设计了有源矩阵的版图。设计了有源矩阵与光栅光调制器的单片集成的工艺流程。通过仿真和实验验证了理论分析的正确性,且仿真结果与实验结果基本一致,表明:有源矩阵光栅光调制器可以满足分辨率为1920×1080,帧频30Hz,256级灰度的显示要求。

摘要：提出一种基于静态随机存储器(SRAM)的光栅光调制器阵列控制系统电路.介绍了光栅光调制器的加工工艺和工作原理,分析了该控制系统电路的原理和技术指标.利用Cadence软件和无锡华润上华0.5μm工艺,设计和加工了大小为8×8的控制系统电路.通过实验表明:加工的SRAM有源矩阵单元能够实现对输出电压的更新或保持;且加工的控制系统电路能够实现对光栅光调制器阵列的有源控制,从逻辑功能上验证了该控制系统电路设计的正确性.结果表明:只要该控制系统电路的行、列驱动电路能够在248MHz的时钟频率下工作,且有源矩阵单元的开关时间小于121ns,则该控制系统电路可以满足分辨率为1920×1080,帧频为30Hz,灰度级为256的投影显示.

摘要：为了消除光栅光调制器阵列的交叉效应,提出利用post-CMOS工艺将光栅光调制器与CMOS驱动单片集成.介绍了单片集成器件的工作原理,详细分析了单片集成器件的关键参数.通过分析表明,在满足调制器响应频率条件下,通过改变悬臂梁的各个参数可以减小调制器的弹性系数,从而降低光栅光调制器的工作电压;在满足开关速度的条件下,较大存储电容具有更好的电压保持特性.利用中芯国际提供的0.18μm工艺设计包完成该单片集成器件的物理版图设计和仿真.最后,通过实验测得该器件的上升沿和下降沿时间分别为:36.8ns和36.4ns,且经过16.73ms的保持时间后压降为2.1V.实验结果与仿真结果具有较好的一致性,结果表明:加工的单片集成器件具有较快的开关速度和较好的电压保持特性,能够满足设计要求.