摘要：建立了可调谐光子晶体滤波器的设计标准,作为设计的依据。通过数值计算和理论分析,得出了一维掺杂光子晶体的缺陷模随杂质光学厚度L和光子晶体折射率n2的变化特征。设计出的可调谐一维光子晶体滤波器在理论上能很好地满足设计标准,滤波通道的半高宽（FWHM）可调范围在1-4nm间,波长λ可调范围达300nm,透射率峰值大于0.95。

摘要：推导出一维掺杂声子晶体的转移矩阵,研究了多通道声子晶体滤波器的设计问题。得出:通过调节杂质的厚度能够实现对滤波通道数目的选择和对滤波频率的调谐。通过改变声子晶体材料的声阻抗能够实现对滤波通道的频率半高宽的调节。设计出滤波通道的频率可调范围达600Hz、滤波通道的频率半高宽的可调范围在3Hz—14Hz之间的三通道声子晶体滤波器。

摘要：通过对设计的一维掺杂光子晶体的数值计算和理论分析,得出了两个偏振态缺陷模透射峰的变化特征为:P-偏振波其缺陷模透射峰在入射角大于0.75(rad)范围内有多条明显的缺陷模透射峰带,而S-偏振波在入射角大于0.75(rad)范围内没有缺陷模透射峰;P-偏振波缺陷模在同一杂质光学厚度可以截到多个波长不同的透射峰.以此为基础设计出滤波通道波长可调范围大于60nm、滤波通道的半高宽可调范围在1～5nm、滤波通道透射峰值大于0.98的一维光子晶体三通道可调谐偏振滤波器.

摘要：通过对设计出的一维掺杂光子晶体的数值计算和理论分析，得出：双通道透射峰的波长随杂质光学厚度呈线性变化和双通道透射峰的半高宽随光子晶体折射率n2的增加而减小。以此为基础，设计出可调波长范围达140nm、滤波通道半高宽的可调范围在1～5nm、滤波通道透射峰值大于0．98的一维光子晶体双通道可调谐滤波器。

摘要：引入复折射率并利用特征矩阵法,研究了杂质的吸收对TE波和TM波缺陷模透射峰的影响。得出:杂质的消光系数对TE波和TM波的缺陷模透射峰都有显著的影响,但对TE波缺陷模的影响比对TM波缺陷模的影响更为明显。当消光系数一定时,TE波的缺陷模透射峰随入射角的增大而迅速减小,而TM波的缺陷模透射峰随入射角的增大而增大。利用这一特性可以设计光子晶体偏振滤波器。

摘要：为了研究杂质的吸收对光子晶体滤波器设计的影响,引入复折射率并利用特征矩阵法,计算了滤波透射峰的峰值和半峰全宽。滤波透射峰的峰值随杂质的消光系数增加而迅速减小,滤波通道透射峰的半峰全宽随消光系数增加而增大,滤波透射峰的峰值和半峰全宽都随吸收杂质的光学厚度的增加而减小。结果表明,设计光子晶体滤波器时,必须考虑杂质吸收这一重要因素,应选择消光系数小于0.002的掺杂材料,并且杂质的光学厚度应设计在2(λ0/4)左右。

摘要：为了设计双通道可调谐偏振滤波器,利用特征矩阵法,通过对设计出的一维掺杂光子晶体的数值计算和理论分析,得出了两个偏振态缺陷模的透射峰的变化特征为：TM波其缺陷模透射峰在入射角大于0.75 rad范围内有多条明显的缺陷模透射峰带,而TE波在入射角大于0.75 rad范围内没有缺陷模透射峰;TM波缺陷模透射峰的波长随杂质光学厚度近似呈线性变化,并且同一空气膜厚度值可以截到两个波长不同的透射峰。以此为基础可设计出：滤波通道波长可调范围大于100nm、滤波通道的半峰全宽可调范围在1nm～6nm、滤波通道透射峰值大于0.98的一维光子晶体双通道可调谐偏振滤波器。该设计在波分复用技术中有重要的应用价值。

摘要：引入复折射率并利用特征矩阵法,研究了光子晶体的吸收对滤波通道峰值和半高宽的影响。得出:滤波通道的峰值随光子晶体的消光系数增加而迅速减小,滤波通道的半高宽随消光系数增加而增大。滤波通道的峰值和半高宽都随有吸收的光子晶体的周期数增加而迅速减小。设计光子晶体滤波器时,应选择消光系数尽可能小的材料,并且光子晶体的周期数不宜大。

摘要：通过对设计出的一维掺杂光子晶体的数值计算和理论分析,得出了TM波和TE波缺陷模随入射角变化的特征以及TM波缺陷模随杂质光学厚度的变化特征为:TM波的缺陷模透射峰在入射角为0-π/2范围内均存在,而TE波的缺陷模透射峰只在入射角为0-0.65 rad范围内存在;在一定波长范围内TM波缺陷模的波长随杂质光学厚度近似呈线性变化。以此为基础,设计出滤波通道波长的可调范围达290nm、滤波通道半高宽的可调范围在1.5-3nm、滤波通道的透射峰值大于0.98的可调谐一维光子晶体偏振通带滤波器。

摘要：利用—维光子晶体的色散关系,绘出了一维光子晶体TE波和TM波的能带随入射角和波长变化的三维立体图,并从俯视、主视、右视三个侧面,全面、立体地研究了一维光子晶体能带结构的全貌特征。利用这些特征能为设计一维光子晶体的全能反射器和大角度范围的起偏器提供理论依据。