摘要：提出了一种基于衰减器附加相位补偿技术的Ka波段四通道幅相控制芯片,采用有源矢量合成移相器和无源衰减器进行高精度幅相控制,每个通道由功率放大器、有源移相器、无源衰减器、功分器等单元构成。提出了一种新颖的基于可调谐补偿电容阵列的相移补偿技术,实现了较低的衰减附加相移。测试结果表明,通道增益大于24 dB,带内增益平坦度小于2 dB,输出1 dB压缩点大于10 dBm,发射效率大于12%@P_1dB,6位RMS移相精度小于2°,5位RMS衰减精度小于1 dB,衰减相位误差小于4°。

摘要：设计了一款1.9-4.3 GHz的单片集成宽带VCO。采用三个低相位噪声LC VCO在频率上互相重叠的架构实现高频宽带特性,VCO内部集成中间抽头的差分电感。电路制造采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺技术,VCO的工作频率达1.9-4.3 GHz,单元功耗仅为4 mA。在工作频率为2.46 GHz处,经过÷2分频器输出的相位噪声实测值为-97 dBc/Hz（100 kHz频偏下）。

摘要：作为当代质量管理专家智慧的结晶,ISO9000基于国际上先进的质量管理理念,结合知名企业的实践经验和精深的理论分析技术,用最简洁的方式将企业运行的模式进行概括,总结出企业管理的基本流程。文章论述了在企业中推行ISO9000的重要性和必要性;从ISO9000在IC企业中的推广目标和推广条件,以及实际效果等几个方面,阐述了ISO9000在IC企业中的推广应用;推行ISO9000质量管理体系是现代企业,包括IC企业,持续、健康发展的必由之路。

摘要：基于射频识别(RFID)的无线无源气体传感器通过敏感材料对RFID天线进行调制,从而实现气体敏感,但其存在只能定距离检测,检测距离短,实用性差等问题。该文提出了一种具有阻抗型负载接入、驱动和检测功能的新型RFID芯片,研制出一种基于新型RFID芯片的无线无源气体传感器,实现了对含磷有毒有害气体的无线无源检测,检测下限可达5×10-6,检测距离可达1.6 m。结果表明,传感器检测精度不受距离变化的影响,从而展现出较好的应用前景。

摘要：体征监测在急救中十分重要,但由于伤员多,若医护人员手动记录伤员体征信息会耗费大量时间和精力。为此,设计了一种利用近场通信技术绑定伤员信息、可自动测试的腕式血压计。血压计基于示波法原理,针对传统单高斯曲线拟合脉搏波包络线求取平均压的方法,提出利用双高斯函数拟合脉搏波振幅求取平均压。为适应个体差异,采用变幅度系数法求取舒张压(diastolic blood pressure,DP)与收缩压(systolic blood pressure,SP)。经测试,血压计收缩压平均误差为4. 8 mm Hg,标准差为2. 57 mm Hg,舒张压平均误差为4. 5 mm Hg,标准差为1. 95mm Hg,符合医疗标准,适用急救场景。

摘要：在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的ESD防护电路。在不影响ESD防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高射频电路的线性度。通过在二极管通路中串联LC谐振网络和大电感,在显著降低射频端口ESD防护电路插入损耗的同时还提高了射频电路的线性度。仿真结果表明,两级串联二极管结构可以将输入1dB压缩点提高至18.9 dBm。在16GHz频点,串联LC谐振网络设计和串联大电感设计分别可以将插入损耗减小0.5dB和0.9dB。

摘要：提出了一种用于X／Ku波段相控阵天线系统、带数字控制电路的4位有源移相器。该移相器采用两个相位正交的输入信号的相位内插技术来合成所需要的相位。基于JAZZO．18μmSiGeBiCMOS工艺技术，采用CadenceSpectreRF，对电路系统进行仿真分析。仿真结果为：S11小于-10dB，S2z小于-11dB，S12小于-90dB，在12GHz处，所有4位相位状态的电压增益范围都是20．80~23．57dB，在整个频段内，电压增益误差的RMS小于1．1dB，噪声系数为2．82～4．45dB。在7～18GHz内，相位误差的RMS小于4°。

摘要：提出了一种基于0.18μm CMOS工艺设计的12位800MS/s高速ADC。采用独特的折叠/内插与流水线相组合的结构,兼具折叠/内插结构的高转化率与流水线结构的高分辨率的优点。介绍了ADC的总体结构,分析了采样保持电路的设计原理,阐述了折叠/插值与流水线结构电路的机理,描述了数字自校正原理。在采样率800MS/s和模拟输入397MHz条件下进行版图后仿真,SFDR达到62dB。

摘要：基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作于28 GHz的对称型单刀双掷(SPDT)开关。采用串并联拓扑结构实现高隔离度,通过MOS管与电感器构成的开关电感进行LC阻抗匹配,从而实现了低插入损耗和较小芯片面积。开关管采用悬浮衬底设计,减小了插入损耗,提高了线性度。仿真结果表明,该SPDT开关在工作频率下,插入损耗小于1.7 dB,隔离度大于30 dB,输入输出回波损耗小于-20 dB,输入1 dB压缩点为12 dBm。芯片尺寸为240μm×180μm。

摘要：本文对第三代合作伙伴计划NB-IoT协议中的上行链路及其涉及到的关键技术进行分析,并基于Matlab搭建仿真平台,为芯片和模组等硬件开发流程提供便利的参考。