摘要：采用标准的0.18μm CMOS工艺,设计了一种新型的应用于可见光通信系统的雪崩光电二极管(APD)。相较于传统的CMOS APD,该器件在深n阱/p衬底的结构基础上增加一层p阱,再在其上分别离子注入一层n^(+)/p^(+)层作为器件的雪崩击穿层,并且采用STI结构来防止器件边缘过早击穿。仿真结果表明,器件的雪崩击穿电压为9.9V,暗电流为1×10^(-12)A,3dB带宽为5.9GHz,响应度为1.2A/W。由于STI保护环和短接深n阱/p衬底的结构设计,器件暗电流较传统结构CMOS APD降低了2个量级,且带宽提高了约10%。

摘要：基于SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR)。采用温度曲率补偿技术和温度分段补偿技术,使该BGR获得低温漂特性。采用PSRR提升技术,使所设计的BGR获得高PSRR特性。仿真结果显示,当温度从-50℃到125℃变化时,该BGR的温漂系数为1.85×10^-6/℃,在频率为100 Hz、1 kHz、10 kHz时分别获得-88 dB、-83.6 dB、-65.8 dB的PSRR。

摘要：新工科背景下,把工程教育的思路引入到《半导体物理》课程教学,通过更新教学内容、优化教学过程、丰富教学模式;将理论学习、实践能力、创新能力融为一体,激发学生自主学习的热情,提高学生解决实际工程问题的能力。

摘要：基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源。采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管替代传统基准电压源中的PNP管,增加了高温区域曲率补偿电路和低温区域温度分段补偿电路。该带隙基准电压源获得了低温漂的性能。仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,该带隙基准电压源的温度系数达到1.997×10-6/℃,在频率为1Hz、10Hz、100Hz、1kHz、100kHz时,分别获得了-77.84dB、-77.84dB、-77.83dB、-77.42dB、-48.05dB的电源抑制比。