摘要：利用非等温等离子体化学气相沉积 (PCVD)工艺制备了一种适合于大容量高速率长途干线网与城域网的中芯下陷型纤芯结构非零色散位移光纤。该光纤的有效面积大于 95 μm2 ,在 15 5 0nm波段的色散值约为9ps/(nm·km) ,有效的抑制了传输过程中光非线性效应的产生。通过对光纤剖面结构的优化设计 ,光纤的 15 5 0nm处的传输损耗降到约 0 .2 1dB/km ,与传统单模光纤的熔接损耗低于 0 .11dB ,且在直径为 6 0mm圆筒上绕 10 0圈后在 14 6 0nm到 16 2 5nm波长范围所引起的附加弯曲损耗均低于 0 .0 2dB/km。同时 ,该光纤色散斜率低于0 .0 6 5 ps/(nm2 ·km) ,偏振模色散 (PMD)小于 0 .0 5 ps·km-1/2 。此外 ,由于光纤的零色散点移到了 14 30nm以下 ,使波分复用 (WDM)传输在S波段 (14 6 0～ 15 30nm)、C波段 (15 30～ 15 6 5nm)、L(15 6 5～ 16 2 5nm)波段上都兼容。

摘要：从理论上对色散和非线性效应的影响进行了简要分析,介绍了一种既能控制色散,又能有效抑制非线性效应,而且具有低PMD值的适合于大容量和超长中继距离的DWDM系统的非零色散位移单模光纤——大保实。

摘要：通过分析光纤的过氧基缺陷,用氘气对成品低水峰光纤进行处理,以降低光纤的氢敏感性。结果表明,氘气处理后光纤在1383nm的氢损值小于0.01dB/km,并且这种抗氢损能力不随时间变化而变化,从而保证了光纤长期使用过程中的稳定性。

摘要：设计并采用 PCVD工艺制造了大有效面积非零色散位移光纤 (L APOSH光纤 )。采用色散补偿原理 ,利用 5个光纤放大器 ,经过 4段跨距 10 0 km左右的 L APOSH光纤 ,最终在 4 0 6 km该类光纤上实现了 8× 10

摘要：限制光放大密集波分复用(DWDM)系统传输容量和传输速度的主要因素是色散和非线性效应,本文就色散和非线性效应的影响从理论上进行了简要的分析,设计并生产了既能控制色散,又能有效抑制非线性效应,而且具有低PMD值的适合于大容量和超长中继距离的DWDM系统的非零色散位移单模光纤——大保实R(LAPOSHR),其优点是: 低色散(2～6 ps/nm·km 1530～1565nm)、大有效面积(73μm2@1550nm)、低衰耗(0.20dB/km@1550nm)、低PMD(≤0.08ps/√km)以及优异的抗弯曲性能。

摘要：本文介绍850nm优化非色散位移单模光纤。该种光纤是和G．652系列光纤完全兼容的，然而其850nm波长带宽得到了优化，以便满足将来的应用。该种光纤采用PCVD(等离子有源化学汽相沉积)法生产的。为了提高850nm带宽，该光纤的芯RI分布(RI=Refractive Index，折射率)设计为渐变折射率分布。使用长度约为36公里光纤，得出某些相关的几何特征和光特性。纤芯直径，MFD(模场直径)分别约为13微米和9．6微米。截止波长和零色散波长位于约1315nm和1323nm。1310nm和1550nm处的衰减分别小于0．34dB／km和0．19dB／km。这些数据表明，该850nm优化光纤是和G．652光纤系列的指标参数完全对应的。与此同时，OFLB(Over—Filled Launch Bandwidth，过冲盈激发带宽)试验示出，850nm处带宽优于400MHz·Km，而常规G．652光纤的OFLB约为150MHZ·Km，可资比较。该种光纤由于具有相当大的850nm带宽，可被用在850nm波长的LAN或DSN(Data—storage Network，数据存储网)场合。为了证实和G．652光纤的兼容性，还进行了该种光纤与常规G．652光纤的接头损耗。

摘要：在简要介绍PCVD工艺基本原理的基础上,阐述了PCVD单模光纤的材料组成和结构,对采用功能梯度的材料组成和结构设计以及粘度匹配对降低光纤的衰减、提高光纤的抗弯曲和抗氢损等特性进行了简单的分析和讨论。

摘要：阐述了色散位移光纤的特性，并以光同步数字传输系统为例，分析了色散位移光纤的应用。

摘要：针对通信环境复杂、d PMR数字对讲机基带接收信号峰均比过大的问题,提出了一种可同时对经过高斯信道和瑞利信道处理的信号进行自动增益控制的策略。该控制策略采用反馈型的数字自动增益控制(DAGC)结构,基于滑动平均检测算法和LSLDAGC增益控制算法进行优化,通过信号判决模块和有限增益调整机制提高处理衰落信号时的系统稳定性,降低了信号误判率。经仿真结果分析,验证了AGC系统可对平稳和衰落信号进行增益控制,具有96 dBm的大动态范围、小于6.25 ms的收敛时间和-105 dBm的灵敏度,同时,在信号功率波动时具有良好的稳定性和跟踪性。

摘要：MXene作为一类全新的二维材料(金属碳氮化物的总称),因其本征的纳米层状结构、可调的比表面积、良好的亲水性、优异的导电性和力学性能,使其在可充电电池、超级电容器、光(电)催化剂、透明导电膜、电磁干扰屏蔽和传感器、原油和重金属的吸附剂以及柔性高强度复合材料等众多领域具有广阔的应用前景。近年来,利用插层限域工程制备MXene及其复合材料,是先进功能材料领域的研究热点。主要综述了近几年利用插层反应促进MXene剥离及合成MXene基复合材料的研究进展,比较了不同插层反应合成的MXene及其复合材料的优缺点;同时对于未来MXene及其复合材料领域的发展提出了展望。我们认为MXene及其复合材料的稳定性问题是当前要解决的瓶颈;相信随着人工智能和机器学习技术在材料研究领域的快速发展,MXene材料稳定性问题将会得到解决,并且更多具有良好稳定性的MXene及其复合材料将会被设计和合成出来。