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高输入阻抗高转换速率宽频带运算放大器TD080及其应用
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《电子技术应用》1990年 第6期16卷 32-35页
作者:张冠英 丁国勇青岛半导体研究所 
高输入阻抗、高转换速率、宽频带运算放大器是TD080采用二次离子注入的Bi-JFET 兼容工艺和JFET 作为输入级的单片运算放大器。它是在TD05基础上改进设计的,除保留TD05的高输入阻抗(10^(12)Ω)
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金属全密封大电流三相整流模块的设计与制作
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《电力电子技术》2008年 第12期42卷 33-35页
作者:初宜亭 高雁青岛半导体研究所山东青岛266071 
介绍了金属全密封大电流三相整流模块的设计和制作工艺。它主要采用真空烧结、超声压焊工艺,封装采用平行缝焊。该模块具有使用方便、可靠性高和温度范围宽(-55~+125℃)等特点,并能满足工程需要。
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氧化型垂直腔面发射激光器的常见失效模式和机理分析
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《中国光学》2022年 第2期15卷 187-209页
作者:张玉岐 左致远 阚强 赵佳山东大学激光与红外系统集成技术教育部重点实验室山东青岛266237 厦门市三安集成电路有限公司福建厦门361000 中国科学院半导体研究所北京100083 山东大学信息科学与工程学院山东青岛266237 
氧化型垂直腔面发射激光器(VCSEL)在高速光通信中有着广泛的应用,应用过程中的可靠性是一个非常重要的指标,要求有高寿命和低失效率。为了更好地了解VCSEL在应用过程中的失效模式和机理,提升器件的可靠性,本文从器件设计、加工制造和应...
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具有期望容错域的前向掩蔽联想记忆模型的设计方法
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《计算机学报》2009年 第1期32卷 124-131页
作者:杨国为 王守觉 李卫军青岛大学自动化工程学院山东青岛266071 中国科学院半导体研究所神经网络实验室北京100083 
联想记忆的综合问题是目前没有很好解决的难题.文中用作者提出的通用前馈网络和排序学习算法,提出了一种设计具有期望容错域的前向掩蔽联想记忆模型的方法.该方法一般性地解决了信息空间上联想记忆的综合难题,使设计出的联想记忆模型具...
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时变容错域的感知联想记忆模型及其实现算法
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《计算机学报》2006年 第3期29卷 431-440页
作者:杨国为 涂序彦 王守觉青岛大学模式识别与智能系统研究所青岛266071 北京科技大学计算机与系统科学研究所北京100083 中国科学院半导体研究所神经网络实验室北京100083 
提出并用软件实现了一种时变容错域的感知联想记忆模型.该模型有以下特点:(1)模拟了大脑联想记忆的容错域随时间变化的特点.模型可以根据记忆样本的重要性,为记忆样本在不同时间设计适当的容错域;(2)实现了n维到m维空间的无穷值模式非...
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基于物元动态系统分析的智能化模型化概念设计
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《计算机工程与应用》2005年 第16期41卷 109-113页
作者:杨国为青岛大学 中国科学院半导体研究所神经网络研究室北京100083 
针对计算机辅助概念设计的瓶颈问题和关键技术,一方面应用物元动态系统分析方法给出陶瓷产品的物元系统表示方法,提出了陶瓷产品概念设计中矛盾冲突和矛盾冲突解决的物元系统模型化方法。另一方面提出面向CIMS的CAD的和谐化智能化研制思...
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C/V变换器及其应用研究
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《微处理机》1996年 第1期 120-122页
作者:魏凤辛青岛半导体研究所青岛266071 
本文论述了C/V变换器在液量检测监控系统中的作用及系统对它提出的要求。着重剖析了影响C/V变换电路性能的各种因素和电路设计、版图工艺设计的优化攻关措施以及达到的结果,还简要地论述了C/V变换器的应用研究
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转子微小流量传感器的研制
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《计量与测试技术》2007年 第5期34卷 22-24页
作者:王燕飞 邹向光 张莉新青岛半导体研究所山东青岛266071 
介绍了一种新型基于可变面积原理设计的微小流量传感器,阐述了高精度微流量传感器理论设计方法、结构特点,同时也对微流量传感器进行实验验证。实际测量和使用表明:该传感器具有精度高、可靠性高、抗干扰能力强、结构简单、智能化等特点。
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智能边缘计算盒应用设计研究
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《信息技术与信息化》2022年 第7期 206-209页
作者:刘庆一 赵义强 孙文海 刘瑞华 孙艳杰大唐半导体科技有限公司山东青岛266100 齐鲁工业大学(山东省科学院)山东省科学院自动化研究所山东济南250014 
以智能边缘计算盒子为研究对象,针对边缘计算盒子要求经济适用、功能可靠、高效稳定等特点,从硬件的电源优化技术、信号完整性、IO接口防护和软件的内存性能优化、磁盘性能优化、网络性能优化等关键技术进行了分析和设计。硬件方面,借...
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铌酸锂波导对光整流相位匹配的增强作用研究
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《光学学报》2014年 第B12期34卷 331-335页
作者:吴斌 刘红博 赵发财 冯志红 王俊龙 应承平 王恒飞电子测试技术重点实验室山东青岛266555 中国电子科技集团公司第四十一研究所山东青岛266555 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室河北石家庄050051 
为提高太赫兹(THz)波的产生效率,研究了飞秒激光与铌酸锂晶体的相互作用。分析了块状铌酸锂晶体中抽运光与THz波间的相位匹配,结果显示抽运光的群折射率曲线与THz波的折射率曲线不存在交点,表明了块状晶体结构中相位失配问题的存...
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