摘要：运用光刻胶为注模的多次互不干扰金属电镀技术实现了惯性微型电学开关的低温制造与封装.电镀技术的低温过程可使微型开关直接成形于预先制作好的含有电子信号处理电路的基底上,加上同样借助于低温金属电镀技术的基于整个硅晶片的倒装封装,直接形成环绕各个器件的密封腔体.这一技术最终将使得模块化生产成为现实.微型开关的高度和它的密封腔的高度可以分别控制.电子信号可以通过金属互连线进入密封腔体.为了便于设计,建立了一个既简单又相对准确的“弹簧质量块”模型.以此设计的惯性开关,即使在未封装的常温、常压条件下,均可工作109次以上.本文对密封腔体的强度和密封性,以及金属互连线的可靠性,都作了详细的检测,各项指标均达到其各自的标准.

摘要：为了提高无线通信的有效性和可靠性,提出了一种基于空频分集的合作通信协议。它通过联合利用传输频带间的衰落不相关特性和中继链路间的衰落不相关特性,获得更高的分级和复接增益。仿真结果表明:该协议的分集增益为3,而复接增益为1,优于选择中继和附加中继协议。当中断概率低于10-2时,该协议可以获得至少3 dB的信噪比增益。利用频率分集能够有效提高合作通信的性能。

摘要：给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法 .在Si膜厚度为 0 15 μm、隐埋氧化层厚度为 2 μm的SOI硅片上进行了LDMOS晶体管的制作 .首次对薄膜SOI功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂质浓度梯度的关系进行了实验研究 .通过对漂移区掺杂剂量的优化 ,所制成的漂移区长度为 5 0 μm的LDMOS晶体管呈现了高达 6 12V的击穿电压 .

摘要：提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 .

摘要：光缆和同轴电缆的广泛应用，使自选视像业务成为可能，高速音频视频信息（如ＭＰＥＧ－１１）可以根据用户的需求直接从服务中心传送到用户终端。基于成本考虑，光缆或同轴电缆一般仅架设至建筑物的基站，信息在建筑物内部的传递往往通过双绞线来完成。本文讨论了基于双绞线的高速信息传输系统的均衡与补偿问题，提出了一种新的前置补偿器，在提高整个系统性能的同时，大大降低了成本。

摘要：鉴于MIC P+-Poly-Si薄膜具有比较好的电学特性和近似半透半反的光学特性,本文提出一种以此用作透反双重功能LCD下电极的LCD基板的设计考虑。并针对MIC多晶硅薄膜在红、绿和蓝三色区的透射率与反射率的差异,采用不同面积的铝反射片巧妙地予以平衡和补偿。校正结果表明在可见光范围内,其红光、绿光和蓝光处的透射率和反射率基本符合白光平衡的要求。用该薄膜多晶硅作LCD像素电极技术制备的AMLCD中,其像素电极既是驱动TFT的漏极的延伸,而铝反射镜又是与TFT的电极连线同层制备。这样,不仅可以制备出性能良好透、反双功能的LCD基板,而且明显简化了AMLCD制备工艺流程。工艺流程的简化将有利降低制造成本。

摘要：本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。

摘要：本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .

摘要：运用微分几何的方法分析了存在于并联机构中的各种奇异位形。采用冗余驱动方法解决并联机构奇异位形的控制问题。设计并实现了平面二自由度并联实验装置 。

摘要：永磁同步电机(PMSM)采用传统PID控制器时,在面对特定参数的情况下,控制系统能够取得良好的控制效果.但当系统参数发生变化时,需要对PID控制器进行重新设计,使其适应各种情况.为了解决这个问题,本文提出了一种新型的模糊PID控制器,它可以随时调节PID参数,对比例、积分、微分环节进行自调整,使得永磁同步电机能够快速跟踪输出量.通过仿真实验表明,模糊PID控制器具有响应速度快、稳定精度高等优点.