摘要：运用光刻胶为注模的多次互不干扰金属电镀技术实现了惯性微型电学开关的低温制造与封装.电镀技术的低温过程可使微型开关直接成形于预先制作好的含有电子信号处理电路的基底上,加上同样借助于低温金属电镀技术的基于整个硅晶片的倒装封装,直接形成环绕各个器件的密封腔体.这一技术最终将使得模块化生产成为现实.微型开关的高度和它的密封腔的高度可以分别控制.电子信号可以通过金属互连线进入密封腔体.为了便于设计,建立了一个既简单又相对准确的“弹簧质量块”模型.以此设计的惯性开关,即使在未封装的常温、常压条件下,均可工作109次以上.本文对密封腔体的强度和密封性,以及金属互连线的可靠性,都作了详细的检测,各项指标均达到其各自的标准.

摘要：给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法 .在Si膜厚度为 0 15 μm、隐埋氧化层厚度为 2 μm的SOI硅片上进行了LDMOS晶体管的制作 .首次对薄膜SOI功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂质浓度梯度的关系进行了实验研究 .通过对漂移区掺杂剂量的优化 ,所制成的漂移区长度为 5 0 μm的LDMOS晶体管呈现了高达 6 12V的击穿电压 .

摘要：本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。

摘要：我们已开发出用于三片式彩色投影机的高集成化硅上液晶(liquidcrystal_on_silicon)光阀。硅片是由0.35μm、3 -金属和双压CMOS工艺设计和制作的 ,其空间分辨率为1280×1024象素。象素间距为12μm ,开口率为90 % ,显示区对角线为0.7in。硅片上安装着混合扭曲向列型和双折射液晶盒。Vrms=5.5V时的典型对比度为200∶1。光学分系统利用装有三个硅光阀的三色棱镜来实现彩色的分离和复合。已演示过一种紧凑的高对比度的SXGA视频投影机。

摘要：提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM_LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT_MIUC poly_SiTFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.