摘要：本文描述了一种混合集成数/模转换器(DAC)它是采用常规双极工艺、薄膜工艺以及NiCr薄膜电阻工艺制造的,使用传统的DAC电路结构和在较低分辩率的DAC中用过的一些成功的方法进行设计.为了获得12位DAC所需要的或更高的精度,运用了激光的有源修正技术.结果表明,该电路在现阶段内获得12位精度并进入大批量生产是可能的.

摘要：本文综述了缩减指令系统计算机(RISC)设计中存在的问题和复杂指令系统计算机(CISC)设计中的一些合理思想,介绍了可写指令系统计算机(WISC)的基本概念和设计策略,并提出WISC设计的6条基本原则。

摘要：本文介绍一种实时计算机系统监控软件的设计思想和方法,同时给出了2个例子.对于专用计算机研制,该设计思想具有参考意义.

摘要：分析了小卫星星载计算机系统的公共需求及其应用的特殊性,给出了典型小卫星星载计算机系统的通用体系结构;提出了基于System C的星载计算机系统的设计方法。通过与传统的星载计算机系统设计方法的对比,提出的基于System C的设计方法可使星载计算机系统的研发周期缩短,设计质量获得较大的提升。同时结合实际工程经验,给出了星载计算机系统软硬件协同设计的基本步骤。

摘要：本文介绍了近年来超高速HEMT技术的主要进展.从器件结构、特性、电路设计、材料制备及工艺等方面讨论了HEMT技术的潜力及待解决的问题.

摘要：本文详细介绍了高速六位CMOS/SOS A/D 转换器LAD1606的设计、版图、工艺及电路特性;并分析和讨论了其电路中比较器、编码阵列(PLA)以及外围电路;最后给出了研制成功的LAD1606的测试参数。

摘要：本文报道了利用自设计的PECVD系统成功地在光刻胶上淀积SiO_2,满足了在微细加工技术的三层胶工艺中对中间介质层的要求。淀积温度为200～280℃,反应气体是SiH_4—N_2O体系。

摘要：通过测定专门设计的寄生样管电流增益,用注入电流法测定CMOS 器件的闭锁阈值及用JT-1图示仪扫描测定闭锁曲线,有力地证实了体硅CMOS 器件经中子辐照后其抗闭锁能力及抗瞬时辐照能力均有明显提高,激光脉冲器的瞬时辐照结果亦证实了这点.

摘要：本文报道了硅栅CMOS IC抗电离辐照加固工艺,尤其对γ电离辐照最敏感的栅氧化工艺作了详细的研究。在大量实验的基础上确定了优化的850℃下氢氧合成氧化工艺,并对栅氧化后的工艺步骤进行了优化设计。对场区的加固技术也进行了研究。采用该工艺制造的CMOS LC4007电路的抗γ电离辐照能力达2×10^(6rad)(si)。

摘要：本文介绍采用CMOS门阵列技术实现的、用于容错存储体的两种纠错编码电路(奇权纠错编码电路及多位纠错编码电路)的设计与实现。这两种电路均已研制成功并已通过部级鉴定。